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0902NS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,160A,RDS(ON),1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)一款单 N 型场效应晶体管,适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。
供应商型号: 0902NS-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 0902NS-VB

0902NS-VB概述

    # 0902NS-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型
    0902NS-VB 是一款高性能的N沟道30V(D-S)功率MOSFET,采用先进的TrenchFET®技术制造。该产品主要适用于电力电子系统中开关电源、服务器电源管理等领域。
    主要功能
    作为高性能的功率开关器件,0902NS-VB可以实现快速开关转换,并提供低导通电阻(RDS(on)),以减少功耗并提高效率。此外,它还具备优异的雪崩能力和短路保护能力,确保在恶劣的工作环境下也能稳定运行。
    应用领域
    - OR-ing电路:用于多电源冗余切换。
    - 服务器电源管理:满足数据中心高能效需求。
    - 其他需要高效能开关的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是关键的技术参数和性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 30 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.5 | 2.5 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.0018 0.0025 | Ω @ VGS=10V |
    | 连续漏极电流(TC=25℃) | ID 160 | 90 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 300 | A |
    | 雪崩能量 | EAS 64.8 | mJ |
    | 热阻抗 | RthJA | 32 40 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET®技术:通过深沟槽结构降低导通电阻,提升开关速度。
    - 高可靠性测试:100% Rg和UIS测试确保产品质量。
    - 广泛适用温度范围:支持从-55℃到175℃的宽温操作。
    市场竞争力
    - 优秀的导通性能和低热阻设计使其适合高频、高温应用场景。
    - 强大的雪崩能力和短路保护功能,保障系统的安全性。
    - 符合RoHS和无卤素标准,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源管理系统:利用其高可靠性和高效率,降低整体能耗,延长设备寿命。
    - OR-ing电路设计:用于冗余电源切换时,减少切换过程中的能量损失。
    使用建议
    - 散热管理:为了充分发挥其性能,需确保良好的散热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 驱动电路优化:根据负载情况合理选择栅极驱动电阻(Rg),以获得最佳开关速度和效率。
    - 保护措施:在关键电路中加入过流、过压保护机制,以应对意外故障。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    0902NS-VB与多种标准封装兼容,可直接替换市场上其他主流品牌的产品。此外,其宽泛的工作电压和温度范围增强了系统的灵活性和适应性。
    支持信息
    制造商提供详细的技术文档和技术支持服务,包括样品申请、设计指导和技术培训等。如有需要,可通过官方服务热线400-655-8788联系支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 减少栅极驱动电阻(Rg),优化驱动波形。 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,增加外部散热片。 |
    | 导通电阻增大 | 检查焊接质量,确保引脚接触良好。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    0902NS-VB凭借其出色的导通性能、高可靠性及广泛的适用性,在高性能开关电源和服务器电源管理领域表现出色。特别是在对功耗敏感且要求高效率的应用场景中,其优势尤为明显。
    推荐结论
    强烈推荐使用0902NS-VB作为核心元器件,尤其适用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统。建议在具体项目实施前充分验证其与现有电路设计的匹配度,并结合实际环境进行必要的调整。

0902NS-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.8mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 160A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

0902NS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

0902NS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 0902NS-VB 0902NS-VB数据手册

0902NS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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