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042N04N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,40A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,5.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
供应商型号: 042N04N-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 042N04N-VB

042N04N-VB概述


    产品简介


    042N04N-VB MOSFET
    042N04N-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电子应用场合。其核心特性是采用 TrenchFET® 技术,这使得它具有高效率和低损耗的优势。本产品主要应用于同步整流、同步降压转换器、或门、负载开关及电机驱动等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 40 V
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流(ID): 40 A
    - 脉冲漏极电流(IMD): 100 A
    - 最大耗散功率(PD): 52 W (TC = 25°C), 33 W (TC = 70°C)
    - 热阻(RthJA): 26°C/W (最高值)
    - 栅电荷(Qg): 9.8 nC (VDS = 20 V, VGS = 4.5 V, ID = 10 A)
    其他关键参数如下:
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.0045 Ω (VGS = 10 V), 0.0062 Ω (VGS = 4.5 V)
    - 阈值电压(VGS(th)): 1.1 ~ 2.2 V
    - 栅泄漏电流(IGSS): ±100 nA

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)): 高达 0.0045 Ω (VGS = 10 V),有助于降低损耗并提高能效。
    2. 高可靠性测试: 100% 阈值电压和雪崩耐受能力测试。
    3. 适用范围广: 支持 5 V 栅极驱动,适合广泛的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 同步整流: 在同步整流电路中,042N04N-VB MOSFET 能够有效减少导通损耗,提高系统效率。
    - 同步降压转换器: 在高频降压转换器中,042N04N-VB 的低 RDS(on) 可以显著减少发热并提高效率。
    - 负载开关: 由于其较高的连续漏极电流,可以胜任各种负载开关的应用。
    使用建议:
    - 确保 MOSFET 工作在指定的温度范围内,避免超过绝对最大额定值。
    - 使用散热器可以进一步提高 MOSFET 的可靠性和使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 042N04N-VB MOSFET 与现有的大多数电路设计高度兼容,特别是对于需要高电流和低电阻的应用。
    - 支持: 制造商提供全面的技术支持和客户服务,帮助客户解决任何潜在问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 长期工作时发热过高。
    - 解决方案: 使用散热片或散热风扇来提高散热效果。
    2. 问题: 导通电阻异常高。
    - 解决方案: 检查工作环境温度和电压,确保 MOSFET 在正常工作范围内。
    3. 问题: 漏极-源极电压(VDS)不稳。
    - 解决方案: 确保输入电压稳定,并检查是否有外部干扰。

    总结和推荐


    综上所述,042N04N-VB MOSFET 具有出色的性能和稳定性,适用于多种高电流应用场合。其低导通电阻、高可靠性和广泛的适用范围使其在市场上具备很强的竞争力。我们强烈推荐这款产品用于需要高效能、高可靠性的电路设计中。
    如需更多技术支持或订购信息,请联系我们的客服热线:400-655-8788。

042N04N-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,5.4mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

042N04N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

042N04N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 042N04N-VB 042N04N-VB数据手册

042N04N-VB封装设计

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