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10N03LB-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: 10N03LB-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 10N03LB-VB TO220

10N03LB-VB TO220概述

    10N03LB-VB TO220 N-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    10N03LB-VB 是一款由VBsemi公司生产的TO220封装的N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品具有多种高性能特性,适用于需要高效能、低功耗的应用场合,如开关电源、电机驱动、照明控制和汽车电子等领域。

    技术参数


    - 工作电压:VDS(漏源电压)= 30V
    - 连续漏极电流:ID = 70A
    - 最大功率损耗:PD(环境温度为25°C时)= 71W
    - 栅极漏电流:IGSS(栅源电压为±20V时)= ±100nA
    - 阈值电压范围:VGS(th) = 1.0V~2.5V
    - 导通电阻:
    - VGS = 10V时,ID = 20A下:RDS(on) = 0.007Ω
    - VGS = 4.5V时,ID = 15A下:RDS(on) = 0.010Ω
    - 静态电容特性:
    - 输入电容(Ciss):典型值为260pF
    - 输出电容(Coss):典型值为95pF
    - 反向传输电容(Crss):典型值为100pF
    - 热阻:Junction-to-Ambient (TC = 25°C) = 50°C/W
    - 脉冲电流:IDM = 250A(最大)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100% Rg和UIS测试,保证产品稳定性。
    2. 低热阻:采用低热阻封装,适合高功率应用。
    3. 快速开关特性:具有低栅极电阻(Rg)和高速开关特性,有助于提高效率。
    4. 兼容性强:广泛的额定温度范围(-55°C到+175°C),适用于多种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    1. 开关电源:适用于需要快速响应时间的高效率开关电源设计。
    2. 电机驱动:作为电机控制器中的开关元件,提供稳定且高效的电流控制。
    3. 汽车电子:符合汽车应用的严格标准,适用于车身电子控制单元(ECU)。
    使用建议:
    - 在选择电路板布局时,应考虑散热片的设计以确保良好的热管理。
    - 在高频率应用中,注意选择适当的驱动电阻,以减少开关损耗并避免电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:10N03LB-VB MOSFET与市面上常见的PCB尺寸和布局兼容,安装简便。
    - 支持:VBsemi提供全方位的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动延迟时间较长。
    - 解决办法:适当减小栅极电阻(Rg),提高驱动信号速度。
    - 问题2:开关过程中出现噪声。
    - 解决办法:使用合适的滤波电容以减少电磁干扰。

    总结和推荐


    10N03LB-VB是一款具有高性能特性的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点,适用于多种高压应用场合。其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围使其在市场上具备较强的竞争力。我们强烈推荐使用此产品以提升系统整体性能。

10N03LB-VB TO220参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

10N03LB-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

10N03LB-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 10N03LB-VB TO220 10N03LB-VB TO220数据手册

10N03LB-VB TO220封装设计

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