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10N65K3-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: 10N65K3-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 10N65K3-VB TO220F

10N65K3-VB TO220F概述

    10N65K3-VB TO220F Power MOSFET 技术手册



    产品简介




    10N65K3-VB TO220F 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它以其低损耗特性而闻名,在服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强放电灯HID和荧光灯镇流器)等领域广泛应用。

    主要功能和应用领域

    - 低损耗:低栅极电荷(Qg)、低导通电阻(RDS(on))
    - 高效开关:超低栅极电荷、低输入电容(Ciss)
    - 多用途应用:服务器和电信电源、SMPS、PFC、工业设备、HID和荧光灯镇流器照明


    技术参数




    静态参数

    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10V时为0.6Ω(典型值)
    - 最大漏电流(ID):在TJ = 150 °C时为4A
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为100nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):最大值为57nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):最大值为178nC
    - 击穿电压(VDS):650V
    - 门极-源极阈值电压(VGS(th)):2V到4V
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):最大1μA
    - 输出电容(Coss):在VDS = 0V到520V时的最大值为1900pF

    动态参数

    - 输入电容(Ciss):最大值为57pF
    - 反向转移电容(Crss):最大值为57pF
    - 有效输出电容(Co(er)):最大值为40pF
    - 有效输出电容(C(o(tr))):最大值为18pF
    - 开启延迟时间(td(on)):最大值为55ns
    - 关断延迟时间(td(off)):最大值为70ns
    - 栅极输入电阻(Rg):最大值为3.5Ω

    热阻参数

    - 最大结-壳热阻(RthJC):0.6°C/W
    - 最大结-环境热阻(RthJA):63°C/W

    工作环境

    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大功耗(PD):2W


    产品特点和优势




    1. 低损耗:10N65K3-VB TO220F 具有超低栅极电荷(Qg)和超低导通电阻(RDS(on)),可显著降低开关损耗和传导损耗。
    2. 高效开关:低输入电容(Ciss)有助于提高开关速度,减少开关损耗。
    3. 稳定性能:在宽广的工作温度范围内(-55°C至+150°C)保持良好的性能稳定性。
    4. 可靠性:通过严格的温度测试和脉冲耐受能力,确保在极端条件下的可靠性。


    应用案例和使用建议




    应用案例

    1. 服务器和电信电源:在数据中心中,该MOSFET可用于服务器电源供应单元,提供高效能且稳定的电力传输。
    2. 高强放电灯(HID)照明:10N65K3-VB TO220F 在HID照明系统中可以提供稳定可靠的开关控制。
    3. 荧光灯镇流器:用于调节荧光灯的电流,确保平稳运行。

    使用建议

    - 散热设计:由于其高功耗(PD=2W),需要充分考虑散热设计,如使用散热片或强制风冷以保持MOSFET的正常工作温度。
    - 电路布局:避免电路板上的高频信号线和功率线交叉,以减少EMI干扰。


    兼容性和支持




    兼容性

    10N65K3-VB TO220F 可与其他标准的N沟道MOSFET一样在常见的驱动器和控制器上使用。需要注意的是,具体电路设计可能需要调整驱动电路,以适应其较低的VGS(th)。

    支持和服务

    - 服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:www.VBsemi.com


    常见问题与解决方案




    常见问题

    1. 高温下性能不稳定
    2. 漏电流过大

    解决方案

    1. 检查散热设计:确保适当的散热措施,如使用散热片或风扇。
    2. 检查驱动电路:确认驱动电路符合MOSFET的电气特性要求,必要时增加驱动电路的增益。


    总结和推荐




    综合评估

    10N65K3-VB TO220F 在高效能电力转换应用中表现出色,具备出色的低损耗特性,广泛适用于各种高性能需求的应用场合。其优秀的温度稳定性和高可靠性使其成为市场上的热门选择。

    推荐使用

    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用10N65K3-VB TO220F MOSFET,尤其是在对性能和效率要求较高的应用中。

10N65K3-VB TO220F参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -

10N65K3-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

10N65K3-VB TO220F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 10N65K3-VB TO220F 10N65K3-VB TO220F数据手册

10N65K3-VB TO220F封装设计

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