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130N03M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域,可用于开关电源、电动车、光伏发电系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。\nN沟道,30V,40A,RDS(ON),11mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.3Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
供应商型号: 130N03M-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 130N03M-VB

130N03M-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    产品名称:130N03M-VB N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    产品类型:功率场效应晶体管(Power MOSFET)
    主要功能:用于低侧开关、DC/DC转换,适用于笔记本电脑及游戏设备。
    应用领域:广泛应用于消费电子领域,如个人电脑、平板电脑、游戏设备及其他需要高效能、高可靠性的电子系统。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏极连续电流(TJ = 150°C) | ID 17.1 A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IA 10 | A |
    | 雪崩能量 | EA 5 | mJ |
    | 最大功耗 | PD 60 W |
    | 结温范围 | TJ | -55 150 | °C |
    热阻
    - 最大结到环境热阻:27-34 °C/W
    - 最大结到脚热阻:6-7.5 °C/W

    产品特点和优势


    1. 无卤素环保设计:符合RoHS标准,确保环保合规。
    2. 高性能TrenchFET技术:提供低导通电阻(RDS(on)),典型值为13 mΩ@VGS=10V。
    3. 全面测试:所有器件均经过100%栅极电阻(Rg)和UIS测试,保证可靠性。
    4. 优异的动态特性:快速开关时间(td(on)=8ns,td(off)=17ns)和低门极电荷(Qg=20nC),适合高频应用。
    5. 宽广的工作温度范围:结温范围可达-55°C至+150°C,适应恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑的电源管理模块
    - 游戏设备的DC/DC转换电路
    - 消费类电子设备的低功耗高效驱动
    使用建议:
    1. 确保电路设计中加入适当的散热措施以防止热失控。
    2. 使用门极电阻优化开关速度,避免过高电流导致器件损坏。
    3. 在高频率应用中,考虑增加旁路电容来改善瞬态响应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于主流PCB布局,与多种控制芯片兼容。
    - 技术支持:提供详细的Datasheet文档和技术支持,客户可拨打服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关时间过长 | 增加门极电阻或降低门极电容 |
    | 过温保护触发 | 改善散热设计或降低负载电流 |
    | 功耗过高 | 检查电路设计并优化热管理 |

    总结和推荐


    综合评估:130N03M-VB是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET,具备出色的导通特性和快速开关能力。其无卤素环保设计和广泛的应用范围使其成为消费电子领域的理想选择。
    推荐使用:如果您正在寻找一款兼具高效能与环保特性的MOSFET,130N03M-VB是一个值得信赖的选择。建议在设计中充分考虑其热管理和应用环境,以最大化发挥其性能优势。
    联系方式:服务热线:400-655-8788

    注:本文档基于最新版Datasheet编写,详细信息请参阅官方网站 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)。

130N03M-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,16mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

130N03M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

130N03M-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 130N03M-VB 130N03M-VB数据手册

130N03M-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
5000+ ¥ 1.5836
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型号 价格(含增值税)
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