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070N08N-VB TO262

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=80V;ID =85A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;可以用于驱动和控制各种电机、阀门和执行器,帮助实现自动化生产线的高效运行和精确控制。
供应商型号: 070N08N-VB TO262 TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 070N08N-VB TO262

070N08N-VB TO262概述

    070N08N-VB TO262 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    070N08N-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 80V MOSFET,封装类型为 TO262。这种类型的 MOSFET 主要用于开关电源、同步整流、直流-交流逆变器和 LED 背光等领域。其采用 TrenchFET® 技术制造,具有高效率和低导通电阻的特点。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 最大漏源电压(VDS):80V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.0065Ω(在 VGS=10V 下),0.0070Ω(在 VGS=6V 下),0.010Ω(在 VGS=4.5V 下)
    - 最大持续漏极电流(ID):6A(在 25°C),5A(在 70°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):250A(持续时间 ≤ 100μs)
    - 最大单脉冲雪崩电流(IAS):30A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):45mJ
    - 最大功耗(PD):62.5W(在 25°C),40W(在 70°C)
    - 阈值电压(VGS(th)):2.0V 至 4.5V
    - 最大栅源泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 电气特性:
    - 电容参数(如输入电容 Ciss、输出电容 Coss 和反向传输电容 Crss):
    - 输入电容 Ciss:8000pF(在 VDS=40V 下)
    - 输出电容 Coss:950pF(在 VDS=40V 下)
    - 反向传输电容 Crss:276pF(在 VDS=40V 下)
    - 工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 焊接推荐温度:≤ 260°C

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:这种先进的技术使得 MOSFET 具有更低的导通电阻和更高的效率。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品在不同条件下的可靠性和稳定性。
    - 多种应用场景:适用于多种电力转换和控制场合,如主侧开关、同步整流、直流-交流逆变器及 LED 背光。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在 LED 背光系统中,作为电源转换器中的开关器件,实现高效稳定的电源供应。
    - 在逆变器应用中,用于直流到交流的转换过程,提高转换效率和可靠性。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应特别注意散热设计以确保长期稳定运行。
    - 根据具体应用需求选择合适的驱动电路参数,确保 MOSFET 的性能达到最优状态。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该产品与其他同类 TO262 封装的 MOSFET 在物理尺寸和电气特性的基础上是兼容的。

    - 厂商支持:
    - VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户进行应用开发和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:高温下电流性能下降
    - 解决方案:增加散热片或采用外部风扇冷却,确保 MOSFET 工作温度不超出规定范围。
    - 问题 2:栅极振荡问题
    - 解决方案:适当增加栅极电阻,减少振荡,提高系统稳定性。

    7. 总结和推荐


    070N08N-VB MOSFET 以其高性能、高可靠性及广泛的应用范围,成为许多电力电子应用的理想选择。其在高温、高功率应用中表现出色,且提供了丰富的技术文档支持,值得在多种场合中尝试使用。对于需要高效率和高可靠性的设计,这款 MOSFET 绝对是一个值得推荐的产品。

070N08N-VB TO262参数

参数
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 85A
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

070N08N-VB TO262厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

070N08N-VB TO262数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 070N08N-VB TO262 070N08N-VB TO262数据手册

070N08N-VB TO262封装设计

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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
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