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100N06L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。DFN8(3X3);N沟道;VDS=60V;ID =30A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;在需要高电流处理和低导通损耗的场景中的关键作用,特别是在电源管理、电动汽车和通信设备中。
供应商型号: 100N06L-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 100N06L-VB

100N06L-VB概述

    100N06L-VB Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    100N06L-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的 N-Channel 60V(D-S)MOSFET。其采用了先进的 TrenchFET® 工艺技术,提供出色的开关特性和低导通电阻。本产品广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子、工业控制等领域。

    2. 技术参数


    - 工作温度范围: 绝对最大结温高达 175 °C
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 175 °C): 100 A
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 VDS: 60 V
    - 栅阈值电压 VGS(th): 1.23 V
    - 零栅压漏电流 IDSS: 50 μA @ TJ = 125 °C
    - 开启状态漏极电流 ID(on): 60 A @ VDS = 5 V, VGS = 10 V
    - 导通电阻 RDS(on):
    - 0.010 Ω @ VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 125 °C
    - 0.015 Ω @ VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 175 °C
    - 0.013 Ω @ VGS = 4.5 V, ID = 15 A
    - 动态参数:
    - 输入电容 Ciss: 2650 pF @ VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
    - 输出电容 Coss: 470 pF
    - 反向传输电容 Crss: 225 pF
    - 总栅极电荷 Qg: 47 nC @ VDS = 30 V, VGS = 10 V, ID = 50 A
    - 开关时间参数:
    - 开通延迟时间 td(on): 10 - 20 ns
    - 上升时间 tr: 15 - 25 ns
    - 关断延迟时间 td(off): 35 - 50 ns
    - 下降时间 tf: 20 - 30 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 绝对最大结温高达 175 °C,适合高温环境下运行。
    - 低导通电阻: RDS(on) 在各种条件下的数值较低,有助于降低功耗和提高效率。
    - 快速开关特性: 具备快速的开关特性,特别适用于高频开关电路。
    - 优异的热阻性能: 最大结壳热阻为 0.85 °C/W,有利于散热设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 作为电源管理中的主开关管,实现高效的电源转换。
    - 在电机驱动电路中,用于控制电动机的启停及速度调节。
    - 用于工业控制系统的功率级部分,提升系统整体效率。
    使用建议:
    - 在设计时,考虑其高耐温性能,确保电路设计具备良好的散热方案。
    - 由于其低导通电阻特性,在选用时可以降低外部电路中的功率损耗。
    - 对于需要高频开关的应用,可利用其快速开关特性来实现。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品适用于标准的 PCB 设计,便于集成到现有的电路板上。
    - 支持 DFN 3x3 EP 封装形式,适用于表面贴装工艺。
    支持和维护:
    - 台湾VBsemi公司提供技术支持和服务热线 400-655-8788,确保客户在使用过程中能够得到及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度超过绝对最大额定值导致损坏 | 确保电路设计符合规范,注意散热管理 |
    | 开关频率过高导致过热 | 检查并调整电路设计,降低开关频率或增加散热措施 |

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    - 100N06L-VB 具有较高的可靠性、出色的开关特性和低导通电阻,是一款理想的电源管理和电机控制用功率MOSFET。
    - 其高耐温能力和优异的热阻性能使其在极端环境中也能保持稳定运行。
    推荐:
    - 我们强烈推荐 100N06L-VB 用于各类电源管理和电机驱动应用,特别是在要求高效、可靠且能够在高温环境下工作的场合。

100N06L-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 30A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ(mΩ)
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
长*宽*高 5.3mm*6.2mm*1mm
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

100N06L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

100N06L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 100N06L-VB 100N06L-VB数据手册

100N06L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.6485
5000+ ¥ 2.5333
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