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091N06N-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: 091N06N-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 091N06N-VB TO220

091N06N-VB TO220概述

    091N06N-VB TO220 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    091N06N-VB 是一款来自 VBsemi 的 N 沟道 60V(漏源电压)MOSFET。这款 MOSFET 被广泛应用于各种电源管理和电机控制应用中。其卓越的热性能和高效的开关性能使其成为高可靠性需求应用的理想选择。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C): 120A
    - 最大功耗 (TA = 25°C): 3W
    - 热阻 (RthJA): 15°C/W (脉冲≤10秒),40°C/W (稳态)
    - 额定特性
    - 额定漏源电压 (VDS): 60V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 5mΩ (VGS = 10V)
    - 源极连续电流 (IS): 70A
    - 单次雪崩能量 (EAS): 125mJ
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 680pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 570pF
    - 反向传输电容 (Crss): 325pF

    产品特点和优势


    - 高可靠性:能够在极端条件下(如175°C的结温)正常工作。
    - 高效能:采用了先进的 TrenchFET® Power MOSFET 技术,使得在高频开关应用中表现出色。
    - 低导通电阻:低至5mΩ的导通电阻,使得功率损耗最小化。
    - 热稳定性好:具有优异的热性能,适合高功率密度的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理电路:例如开关电源和负载开关。
    - 电机控制:驱动直流电动机和其他电机。
    - 使用建议:
    - 在设计电源管理电路时,考虑091N06N-VB的低导通电阻,可以有效降低系统整体功耗。
    - 在电机控制应用中,应考虑其在高温下的稳定工作能力。

    兼容性和支持


    - 兼容性:091N06N-VB 与标准 TO220 封装兼容,便于替换现有的电路设计。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和在线支持,确保客户能够顺利集成此组件到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高频率应用中,MOSFET 发热严重。
    - 解决方案:使用合适的散热器,并确保 PCB 设计有足够的散热路径。
    - 问题:栅极电压不稳定导致开关延迟。
    - 解决方案:增加外部栅极电阻以减小噪声的影响,确保稳定的栅极电压。

    总结和推荐


    091N06N-VB 是一款非常优秀的 N 沟道 MOSFET,具备出色的热性能和低导通电阻,适用于多种高要求的应用场合。其独特的技术优势使其在市场上具有较高的竞争力。强烈推荐在需要高可靠性和高性能的电源管理及电机控制应用中使用这款 MOSFET。

091N06N-VB TO220参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

091N06N-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

091N06N-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 091N06N-VB TO220 091N06N-VB TO220数据手册

091N06N-VB TO220封装设计

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