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12N50C3-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: 12N50C3-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 12N50C3-VB TO247

12N50C3-VB TO247概述


    1. 产品简介


    产品类型:N沟道500V(漏极-源极)超级结功率MOSFET
    主要功能:提供高效能的开关控制功能,适用于高频和高效率的电路设计。
    应用领域:广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关及硬开关和高频电路中。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压(VDS) | VDS 500 V |
    | 漏极电流(ID) 40 | 180 | A |
    | 开启电阻(RDS(on)) | VGS=10V 0.080 Ω |
    | 栅极电荷(Qg) 350 nC |
    | 栅极-源极电荷(Qgs) 85 nC |
    | 栅极-漏极电荷(Qgd) 180 nC |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 +150 | °C |
    | 最大脉冲工作温度 | +125 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:简化驱动要求,降低功耗和系统复杂度。
    - 增强耐用性:提升栅极、雪崩和动态dV/dt的鲁棒性。
    - 全特性化电容和雪崩参数:提供准确的Coss、Avalanche电压和电流。
    - 低导通电阻:提高效率并减少热耗散。
    - 符合RoHS指令:环保设计,满足欧盟绿色标准。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用:用于高效率的开关电源设计,如开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。
    使用建议:对于需要快速开关的应用场景,需注意布局中降低寄生电感以避免过压损坏。建议在高压情况下使用较低栅极驱动电压来平衡性能和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用标准TO-247封装,具有良好的兼容性,适合大多数现有电路设计。供应商提供全面的技术支持,包括详细的规格书和应用场景指导。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中过温保护失效 | 确保散热设计合理,增加散热片。 |
    | 雪崩能量不足导致击穿 | 调整驱动电路,减少瞬时负载。 |
    | 门极驱动信号不稳定 | 使用低噪声电源,确保门极驱动质量。|

    7. 总结和推荐


    综合评估:12N50C3-VB TO247 MOSFET凭借其低导通电阻、高雪崩能力和快速开关性能,在开关电源和其他高功率密度应用中表现出色。产品稳定性高,性能可靠,适合作为工业级和商业级电源解决方案的核心器件。
    推荐结论:强烈推荐用于开关电源设计及高频电路开发,尤其适合对效率和性能要求较高的场景。
    联系服务热线:400-655-8788
    了解更多:www.VBsemi.com

12N50C3-VB TO247参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 500V
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

12N50C3-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

12N50C3-VB TO247数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 12N50C3-VB TO247 12N50C3-VB TO247数据手册

12N50C3-VB TO247封装设计

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