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18N40G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: 18N40G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 18N40G-TA3-T-VB

18N40G-TA3-T-VB概述

    18N40G-TA3-T-VB N-Channel 650V Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    18N40G-TA3-T-VB 是一款高性能的 N-Channel 650V 超级结 MOSFET,广泛应用于多种电子系统中。该器件主要具备低反向恢复时间(trr)、低反向恢复电荷(Qrr)和低反向恢复电流(IRRM),适用于多种电力转换和控制场合。
    主要应用领域
    - 电信:服务器和电信电源
    - 照明:高强度放电灯(HID)和荧光灯照明
    - 消费与计算:ATX 电源
    - 工业:焊接和电池充电
    - 可再生能源:光伏逆变器
    - 开关模式电源(SMPS)

    技术参数


    | 参数名称 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 (VDS) | 650 V |
    | 阈值电压 (VGS(th)) | 2 | 4 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.19 Ω |
    | 输入电容 (Ciss) | 2322 pF |
    | 输出电容 (Coss) | 105 pF |
    | 门极电荷 (Qg) | 71 | 106 | nC |
    | 门极-源极电荷 (Qgs)| 14 nC |
    | 门极-漏极电荷 (Qgd)| 33 nC |
    | 反转恢复时间 (trr) | 160 ns |
    | 反转恢复电荷 (Qrr) | 1.2 μC |

    产品特点和优势


    - 低门极电荷 (Qg):有助于减少开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):提高高频应用的性能。
    - 低反向恢复时间和电荷:显著减少电磁干扰 (EMI)。
    - 超低导通电阻 (RDS(on)):降低功耗并提升效率。

    应用案例和使用建议


    18N40G-TA3-T-VB 器件适用于多种高效率电力转换应用,如服务器电源、HID 照明、光伏逆变器等。在实际应用中,可以考虑以下几点来优化性能:
    - 电路布局:注意减少寄生电感,确保良好的接地平面设计。
    - 散热管理:有效散热是确保长期可靠运行的关键因素。

    兼容性和支持


    - 兼容性:18N40G-TA3-T-VB 与各种开关模式电源 (SMPS) 设计高度兼容。
    - 支持:Taiwan VBsemi 提供详尽的技术支持和维护服务,可通过客服热线 400-655-8788 获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:安装过程中如何正确焊接?
    - 解决办法:请遵循手册中的焊接温度和时间建议(峰值温度 300°C,10 秒)。
    2. 问题:如何确保散热效果?
    - 解决办法:选择合适尺寸的散热器,并确保散热器与器件的良好接触。

    总结和推荐


    18N40G-TA3-T-VB N-Channel 650V Super Junction MOSFET 在高效电力转换应用中表现出色,具备低损耗、高效率的特点,适用于多种高要求的应用环境。强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的电源转换设计中。

18N40G-TA3-T-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

18N40G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

18N40G-TA3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 18N40G-TA3-T-VB 18N40G-TA3-T-VB数据手册

18N40G-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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