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086N10N-VB TO262

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=100V;ID =100A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=2.5V;该器件适用于中功率的应用场合,可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。
供应商型号: 086N10N-VB TO262 TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 086N10N-VB TO262

086N10N-VB TO262概述


    产品简介


    086N10N-VB TO262 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET的主要功能是提供高效能的开关控制能力,在多种应用场景中发挥重要作用。它的最大栅极电压可以达到±20V,最大漏源电压为100V。该产品广泛应用于电源管理、电机驱动、直流转换等领域。

    技术参数


    以下是086N10N-VB TO262的关键技术参数列表:
    - 最大漏源电压 (VDS):100V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):在150°C时为100A,25°C时为175A
    - 脉冲漏电流 (IDM):300A
    - 雪崩电流 (IAS):75A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):280mJ
    - 最大功耗 (PD):在自由空气下为250W,在安装于PCB上时为3.75W
    - 热阻 (RthJA):40°C/W(安装于PCB)和62.5°C/W(自由空气)
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C至175°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = 10V、ID = 30A时为0.0085Ω
    - 在VGS = 4.5V、ID = 20A时为0.010Ω
    - 在VGS = 10V、ID = 30A、TJ = 125°C时为0.017Ω
    - 在VGS = 10V、ID = 30A、TJ = 175°C时为0.022Ω

    产品特点和优势


    - 高可靠性:086N10N-VB TO262 的最大结温高达175°C,确保在高温环境下仍能稳定运行。
    - 符合RoHS标准:满足欧盟RoHS指令要求,无铅环保。
    - 高能效:低导通电阻(RDS(on))使得在开关操作中损耗更小,从而提高效率。
    - 强抗雪崩能力:单脉冲雪崩能量达280mJ,能够在过载情况下保持稳定工作。

    应用案例和使用建议


    086N10N-VB TO262 主要应用于电源管理和电机驱动系统。例如,在一个典型的电源管理电路中,它可以作为开关组件来控制电流流动。具体使用时,建议用户根据实际工作条件选择合适的栅极电压和漏源电压,以避免损坏。
    典型应用案例
    1. 电源管理:将MOSFET用于DC-DC转换器,调节输出电压。
    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,用于控制电机的启动和停止。
    3. 逆变器:在逆变器电路中,实现AC-DC或DC-AC转换。
    使用建议
    - 确保在设计电路时考虑到最高工作温度的影响,合理设置散热措施。
    - 选择合适的栅极驱动信号以确保足够的栅极电荷注入,提高开关速度。

    兼容性和支持


    086N10N-VB TO262 采用TO-262封装形式,可与其他标准TO-262封装的产品互换。VBsemi公司提供详细的技术文档和支持服务,以帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免栅极过电压损坏?
    - 解决方案:确保栅极电压不超过±20V,并添加合适的栅极保护电路。
    问题2:如何优化MOSFET的工作效率?
    - 解决方案:通过降低导通电阻(RDS(on))和提高开关频率,从而减少损耗并提高效率。

    总结和推荐


    086N10N-VB TO262 是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适合需要高可靠性、高效能的应用场景。其高耐热能力和低导通电阻使其在各种极端环境下表现优异。强烈推荐在电源管理和电机驱动等应用中使用。
    如需进一步技术支持或购买产品,请联系服务热线:400-655-8788 或访问官网 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 获取更多信息。

086N10N-VB TO262参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
最大功率耗散 -
通道数量 1
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

086N10N-VB TO262厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

086N10N-VB TO262数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 086N10N-VB TO262 086N10N-VB TO262数据手册

086N10N-VB TO262封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
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500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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