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TP0101K-T1-E3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 350mW 8V 1V@ 50µA 2.2nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 650mΩ@ 580mA,4.5V 580mA SOT-23-3,TO-236 贴片安装
供应商型号: TP0101K-T1-E3DKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) TP0101K-T1-E3

TP0101K-T1-E3概述


    产品简介


    Vishay Siliconix 的 TP0101K 是一款采用 TrenchFET 技术的 P 沟道 20V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有低阈值电压。这款 MOSFET 广泛应用于驱动系统、电池供电系统、直流/直流转换器以及负载/电源开关等场合。此外,它还适用于手机、寻呼机等便携式电子设备。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源电压 (VDS):20V
    - 栅源电压 (VGS):± 8V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):- 0.58A(TA = 25°C)至 - 0.46A(TA = 70°C)
    - 脉冲漏极电流 (IMD):- 2A
    - 连续源极-漏极电流 (IS):- 0.3A
    - 功耗 (PD):0.35W(TA = 25°C)至 0.22W(TA = 70°C)
    - 绝对最大额定温度 (TJ, Tstg):- 55°C 至 150°C
    - 热阻抗 (RthJA):357°C/W
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS):20V(ID = - 10μA)
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):- 0.5V 至 - 1.0V(ID = - 50μA)
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):- 10mA(TJ = 55°C)
    - 动态特性:
    - 总栅电荷 (Qg):1400pC 至 2200pC(ID ≅ - 0.58A)
    - 上升时间 (tr):30ns 至 45ns
    - 关断时间 (td(off)):55ns 至 85ns

    产品特点和优势


    TP0101K MOSFET 以其出色的电气特性和热管理能力脱颖而出。其低阈值电压和高耐压性能使其能够在多种复杂环境中稳定工作。它具备ESD保护,能承受高达3000V的静电放电,确保了产品的可靠性和耐用性。同时,它采用的TrenchFET技术提供了更小的尺寸和更高的效率。

    应用案例和使用建议


    TP0101K 在各种应用场景中表现卓越。例如,在手机和寻呼机的电源开关中,它可以有效地控制电池的充放电过程,确保系统的稳定运行。对于电池供电系统和直流/直流转换器,其高效且可靠的性能有助于延长设备的续航时间和稳定性。
    使用建议:
    - 确保电路设计充分考虑散热需求,避免长时间过载运行导致器件过热。
    - 使用时应注意栅极电压范围,避免超出其额定范围,以防止器件损坏。

    兼容性和支持


    TP0101K 与多种电子元器件和设备兼容。它提供铅(Pb)和卤素(Halogen)两种无害材料版本,适用于不同环保要求的应用。Vishay Siliconix 提供详尽的技术支持和维护服务,以确保客户能够充分利用该产品的各项功能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何防止过温?
    - 解决方案:在设计电路时加入有效的散热措施,如增加散热片或使用风扇进行强制冷却。

    - 问题2:如何避免栅极电压超过限制?
    - 解决方案:使用稳压电路来控制栅极电压,确保其不超过安全范围。

    总结和推荐


    综上所述,Vishay Siliconix 的 TP0101K P 沟道 20V MOSFET 在可靠性、性能和适用范围方面表现出色。它的低阈值电压、高效能和良好的热管理能力使其成为众多应用场景的理想选择。强烈推荐在驱动系统、电池供电系统和负载/电源开关中使用 TP0101K,特别是在需要高性能和高可靠性的场合。

TP0101K-T1-E3参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 650mΩ@ 580mA,4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 580mA
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 50µA
配置 独立式withbuilt-indiode
Vgs-栅源极电压 8V
最大功率耗散 350mW
栅极电荷 2.2nC@ 4.5 V
3.04mm(Max)
1.4mm(Max)
1.02mm(Max)
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

TP0101K-T1-E3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

TP0101K-T1-E3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY TP0101K-T1-E3 TP0101K-T1-E3数据手册

TP0101K-T1-E3封装设计

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