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SIR416DP-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 27 A, PowerPAK SO-8封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: SIR416DP-T1-GE3
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3概述

    SiR416DP N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    SiR416DP 是 Vishay Siliconix 生产的一款高性能 N-通道 MOSFET,属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该产品适用于电源管理、同步整流等应用场合。主要功能包括低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于需要高效率的电力转换系统。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):40 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):50 A
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 15 A:0.0031 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 10 A:0.0035 Ω
    - 输入电容 (Ciss):3350 pF @ VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
    - 反向传输电容 (Crss):197 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):28.2 nC @ VDS = 20 V, VGS = 4.5 V, ID = 10 A
    - 热阻抗 (RthJA):19 °C/W (最大值)
    - 绝对最大额定值 (例如 VDS, VGS):±20 V
    - 反向恢复时间 (trr):26-48 ns

    产品特点和优势


    SiR416DP 的主要优势在于其卓越的热管理和高效的电气性能。低导通电阻 (RDS(on)) 和快速的开关速度使其成为高效能电力转换系统的理想选择。此外,SiR416DP 经过了 100% Rg 和 UIS 测试,确保其在各种极端条件下的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:用于电源管理(如POL)、同步整流、电机驱动等领域。
    - 使用建议:建议在使用时根据应用需求选择合适的散热措施。确保适当的 PCB 布局以减少寄生电感和电容,从而提高整体系统效率。参考供应商提供的焊接温度曲线(见www.vishay.com/doc?73257),并注意手动焊接不适用于无铅组件(见焊接推荐)。

    兼容性和支持


    SiR416DP 使用标准 SO-8 封装,可以直接替换现有的 SO-8 设备。制造商可以通过现有的 SO-8 陆地图案直接安装 SiR416DP 单通道和双通道设备。Vishay Siliconix 提供了详细的封装信息和焊接温度曲线(见www.vishay.com/doc?73257)。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何保证良好的焊接质量?
    - 解决方案: 参考供应商提供的焊接温度曲线(见www.vishay.com/doc?73257),并在峰值温度不超过240°C的情况下进行回流焊。
    - 问题2: 在高温环境下如何保证性能稳定?
    - 解决方案: 使用适当的散热器或改进 PCB 布局以增加热耗散,确保工作温度低于150°C。

    总结和推荐


    SiR416DP N-Channel MOSFET 具有出色的电气特性和热管理能力,非常适合要求高效电力转换的应用。它易于集成到现有系统中,并提供了优异的可靠性。强烈推荐在需要高性能功率 MOSFET 的应用中使用 SiR416DP。同时,Vishay Siliconix 提供全面的技术支持,确保用户的使用体验。
    请注意,本手册内容可能因技术更新而发生变动,请访问 Vishay Siliconix 官网获取最新信息。

SIR416DP-T1-GE3参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 90nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 3.8mΩ@ 15A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.35nF@20V
最大功率耗散 5.2W(Ta),69W(Tc)
长*宽*高 6.15mm*5.15mm*1.04mm
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SIR416DP-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SIR416DP-T1-GE3数据手册

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SIR416DP-T1-GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 2.52
6000+ ¥ 2.478
12000+ ¥ 2.436
24000+ ¥ 2.394
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