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SIHP22N60AE-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 179W(Tc) 30V 4V@ 250µA 96nC@ 10 V 1个N沟道 600V 180mΩ@ 11A,10V 20A 1.451nF@100V TO-220AB 通孔安装 10.41mm*4.7mm*15.49mm
供应商型号: ZT-SIHP22N60AE-GE3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SIHP22N60AE-GE3

SIHP22N60AE-GE3概述

    SiHP22N60AE 电子元器件技术手册

    产品简介


    SiHP22N60AE 是 Vishay Siliconix 生产的一款高效能E系列功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种工业及商业应用场景。该产品具有单向N沟道配置,广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应、功率因数校正电源供应、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)等领域。此外,它也用于焊接、感应加热、电机驱动、电池充电、可再生能源系统(如太阳能逆变器)等工业应用。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):650 V(TJ max)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.156Ω(25°C时)
    - 栅极输入电容 (Ciss):1451 pF(VGS = 0 V,VDS = 100 V,f = 1 MHz)
    - 总栅极电荷 (Qg):48 nC 至 96 nC
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):49 A
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):600 V
    - 栅源电压 (VGS):±30 V
    - 持续漏极电流 (ID):12 A(TJ = 10 V时)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):204 mJ
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):62°C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):0.7°C/W

    产品特点和优势


    SiHP22N60AE 具有低栅极电荷、低输入电容、降低开关和导通损耗等优点。它还具有出色的雪崩耐受能力,能够处理较高的单脉冲雪崩能量。这些特性使其非常适合高效率的电源转换应用,能够在宽温度范围内稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 服务器和电信电源供应:在这些应用中,SiHP22N60AE 可以提高电源转换效率,减少热耗散。
    - 照明系统:如高强度放电灯和荧光灯的电源供应,可以利用其低导通电阻来提升照明系统的整体性能。
    - 使用建议:
    - 在设计开关电源时,考虑SiHP22N60AE 的高耐压能力和较低的导通电阻,可以有效减少电路中的损耗,提高系统效率。
    - 确保电路布局时避免过高的寄生电感,以提高整体可靠性。

    兼容性和支持


    SiHP22N60AE 采用标准的 TO-220AB 封装,符合无铅和无卤素标准。Vishay Siliconix 提供详尽的技术支持,包括在线文档、应用笔记和样品请求。此外,还可以联系技术支持团队获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间使用后温度过高。
    - 解决办法:确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇,以保持器件在安全的工作温度范围内。

    - 问题:在高频率切换时出现振荡。
    - 解决办法:适当增加栅极电阻(Rg),以降低栅极驱动速度,从而减少振荡现象。

    总结和推荐


    SiHP22N60AE 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种工业和商业应用场景。其低导通电阻、低栅极电荷和卓越的雪崩耐受能力使其在高效率电源转换应用中表现出色。推荐给需要高效率、高可靠性的客户使用。

SIHP22N60AE-GE3参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.451nF@100V
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 11A,10V
通道数量 1
最大功率耗散 179W(Tc)
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
栅极电荷 96nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
长*宽*高 10.41mm*4.7mm*15.49mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

SIHP22N60AE-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SIHP22N60AE-GE3数据手册

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SIHP22N60AE-GE3封装设计

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