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SIHA6N80AE-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 30W(Tc) 4V@ 250µA 22.5nC@ 10 V 1个N沟道 800V 950mΩ@ 2A,10V 5A 422pF@100V TO-220 通孔安装
供应商型号: 3350737
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SIHA6N80AE-GE3

SIHA6N80AE-GE3概述

    Vishay Siliconix SiHA6N80AE 电子元器件技术手册

    产品简介


    SiHA6N80AE 是 Vishay Siliconix 生产的一款 E 系列功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要用于服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源和照明等领域。其单个 N 沟道结构使其成为工业应用中焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和可再生能源应用的理想选择。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):最大 850 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值为 0.826Ω(在 25°C 下,VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为 22.5 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):最大值为 4 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):最大值为 7 nC
    - 连续漏极电流 (ID):在 TJ = 150°C 时为 5 A(在 VGS = 10 V 时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大 10 A
    - 结温 (TJ):工作范围为 -55°C 至 +150°C
    - 反向恢复时间 (trr):最大 570 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):最大 3.4 μC
    - 封装形式:薄型引线 TO-220 FULLPAK

    产品特点和优势


    SiHA6N80AE 具有低的导通电阻和栅极电荷,这使其在低损耗、高效能的应用中表现出色。此外,集成的齐纳二极管提供 ESD 保护,增强了其可靠性。其超低的门极电荷使得其适用于高频率切换应用,从而减少了开关损耗。其有效的输出电容和低的反向恢复电荷也有助于减少系统的总体能量损失,提高效率。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:其高耐压能力和低导通电阻使它适合高压环境下的电源转换。
    - 照明系统:如高强度放电灯 (HID) 和荧光灯驱动器,需要快速响应和高效率的开关性能。
    - 工业应用:在焊接、感应加热、电机驱动等应用中,SiHA6N80AE 可以显著提升系统的整体效率和可靠性。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,确保适当的散热设计以避免过热。
    - 考虑到其快速开关特性,在电路设计时需注意防止高频干扰。

    兼容性和支持


    SiHA6N80AE 与现有的 TO-220 封装兼容,因此可以轻松集成到现有系统中。Vishay Siliconix 提供全面的技术支持,包括详尽的产品文档和专业咨询,帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何测试 SiHA6N80AE 的门极电荷?
    - 解决方案:参考技术手册中的图 17,使用标准测试电路进行测量。
    - 问题:SiHA6N80AE 的栅极-源极电压范围是多少?
    - 解决方案:手册中规定为 ±30 V,但建议在 ±20 V 以内操作以确保可靠性。
    - 问题:SiHA6N80AE 的反向恢复时间和电荷如何影响其性能?
    - 解决方案:反向恢复时间和电荷越小,开关损耗越低,适用于高频应用。

    总结和推荐


    SiHA6N80AE 是一款高性能的功率 MOSFET,具有卓越的电气特性和广泛的应用范围。其低导通电阻、低栅极电荷和可靠的 ESD 保护使得其在多种应用场景中表现出色。对于追求高效率和可靠性的应用,强烈推荐使用 SiHA6N80AE。
    本篇文章详细介绍了 Vishay Siliconix SiHA6N80AE 电子元器件的产品特性、技术规格、应用场景和使用建议。希望这些信息能够帮助工程师和采购人员更好地了解并选择这款优秀的 MOSFET 产品。

SIHA6N80AE-GE3参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 22.5nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 2A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 -
最大功率耗散 30W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 422pF@100V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

SIHA6N80AE-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SIHA6N80AE-GE3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3数据手册

SIHA6N80AE-GE3封装设计

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