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TSM1N80CW RPG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: 2.1W(Tc) 30V 5V 6nC 1个N沟道 800V 21.6Ω@ 0.3A,10V 300mA 200pF@25V SOT-223 贴片安装
供应商型号: UA-TSM1N80CW RPG
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TSM1N80CW RPG

TSM1N80CW RPG概述

    TSM1N80 N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    TSM1N80 是台湾半导体公司生产的一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有高电压和低电流的特点。这种MOSFET 主要应用于电源管理和照明系统中,适用于需要高压开关的应用场景。

    技术参数


    - 电压规格
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 800V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on) max): 21.6Ω
    - 总门电荷 (Qg): 5nC
    - 电流规格
    - 连续漏极电流 (ID): 0.3A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 1A
    - 温度规格
    - 工作结温 (TJ): 150°C
    - 储存温度范围 (TSTG): -55°C 到 +150°C
    - 热性能
    - 结至环境热阻 (RΘJA): 60°C/W

    产品特点和优势


    - 先进平面工艺:确保了MOSFET的高可靠性和稳定性。
    - 100% 雪崩测试:保证了在极端条件下的耐用性。
    - 快速开关:适用于高频开关应用,减少损耗。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:常用于各种电源转换电路中,如开关电源。建议在设计时考虑到其散热问题,以防止过热。
    - 照明:适用于LED驱动电路,特别是在高压环境下。为了提高效率,可以考虑采用适当的栅极驱动器来加速开关速度。

    兼容性和支持


    - TSM1N80 封装为SOT-223,符合RoHS标准,且无卤素。在选择配套组件时,建议参考厂商提供的详细文档和建议。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关频率过高导致过热。
    - 解决方案: 增加散热片,改善散热条件。
    - 问题2: 漏电流过大。
    - 解决方案: 确认接线正确无误,检查是否存在外部干扰或损坏。

    总结和推荐


    TSM1N80 在高压和高频开关应用中表现出色,具备快速开关能力和良好的热稳定性能。由于其出色的耐压能力和可靠性,它适合于多种工业和商业应用。然而,用户在使用过程中需要注意散热问题,以确保长期稳定运行。总体来说,这是一款值得推荐的产品。

TSM1N80CW RPG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 21.6Ω@ 0.3A,10V
Vds-漏源极击穿电压 800V
栅极电荷 6nC
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 200pF@25V
Id-连续漏极电流 300mA
最大功率耗散 2.1W(Tc)
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

TSM1N80CW RPG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 TSM1N80CW RPG TSM1N80CW RPG数据手册

TSM1N80CW RPG封装设计

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