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TSM250N02CX RFG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体
产品描述: 1.56W(Tc) 10V 800mV 7.7nC 1个N沟道 20V @ 5.8A,10V 5.8A 535pF@10V SOT-23 贴片安装
供应商型号: SCE-TSM250N02CX
供应商: 海外现货
标准整包数: 100
TAIWAN SEMICONDUCTOR/台湾半导体 场效应管(MOSFET) TSM250N02CX RFG

TSM250N02CX RFG概述

    TSM250N02CX 20V N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TSM250N02CX 是一款适用于多种应用的20V N-通道功率MOSFET。作为功率电子领域的重要组件,它主要用于开关电源、电机驱动、电池充电器以及其他需要高效率和低功耗的应用场合。它的主要功能是在电路中作为开关或放大元件,通过调节栅极电压来控制漏极和源极之间的电流流动。

    2. 技术参数


    TSM250N02CX 的关键技术和性能参数如下表所示:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 20 V |
    | 导通电阻(最大) | RDS(on) | 25 (VGS=4.5V) | 35 (VGS=2.5V) | 55 (VGS=1.8V) | mΩ |
    | 总栅极电荷 | Qg 7.7 nC |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS 1 µA |
    | 门体泄漏电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 输入电容 | Ciss 535 pF |
    | 开关时间 | td(on), tr, td(off), tf 4.1, 11.6, 23.9, 7.6 ns |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:绝对最大额定值和热阻性能保证了其在恶劣条件下的稳定工作。
    - 低导通电阻:VGS=4.5V时,RDS(on)为25mΩ,降低了功耗并提高了效率。
    - 快速开关:总栅极电荷为7.7nC,保证了快速的开关性能,适合高频应用。
    - 低温漂移特性:阈值电压随温度变化较小,确保了良好的热稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    TSM250N02CX 广泛应用于各类开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场合。例如,在一个简单的直流电机控制系统中,可以通过调节TSM250N02CX的栅极电压来控制电机的转速。为了优化性能,建议在设计电路时,考虑合适的散热措施以降低热效应,同时确保栅极驱动电路能够提供足够的电压和电流。

    5. 兼容性和支持


    TSM250N02CX 使用标准SOT-23封装,易于安装和焊接。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户服务,帮助用户解决各种技术问题。此外,它符合RoHS和Halogen-free标准,确保环保合规性。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温度环境下工作时,导通电阻显著增加。
    - 解决方案:选择适当的散热措施,如使用散热片或散热膏,以降低热阻,确保器件正常工作。

    2. 问题:在高频开关应用中,开关损耗较大。
    - 解决方案:优化驱动电路的设计,降低总栅极电荷Qg,提高开关速度,从而减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    TSM250N02CX 是一款高性能的N-通道功率MOSFET,具有低导通电阻、快速开关和优良的温度稳定性。这些特性使其成为开关电源和电机驱动应用的理想选择。鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用此产品。

TSM250N02CX RFG参数

参数
Vgs-栅源极电压 10V
最大功率耗散 1.56W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 535pF@10V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 @ 5.8A,10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 5.8A
栅极电荷 7.7nC
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV
Vds-漏源极击穿电压 20V
3mm(Max)
1.4mm(Max)
1.1mm(Max)
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TSM250N02CX RFG数据手册

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TSM250N02CX RFG封装设计

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