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TPCA8056-H,LQ(M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 1.6W(Ta),63W(Tc) 20V 2.3V@1mA 74nC@ 10 V 1个N沟道 30V 2.2mΩ@ 24A,10V 48A 6.2nF@10V SOP 贴片安装 5mm*5mm*950μm
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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPCA8056-H,LQ(M

TPCA8056-H,LQ(M概述

    # Toshiba MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    基本介绍
    Toshiba 提供一系列的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于广泛的高密度应用。这些 MOSFET 产品线涵盖低电压到高电压的不同规格,满足多种电子设备的需求。Toshiba 的 MOSFET 产品广泛应用于手机、笔记本电脑、便携式电子设备、锂离子电池保护电路、电机驱动器及电源适配器等场合。
    主要功能和应用领域
    - 高频率和开关特性:无载流子存储效应,适合高频应用。
    - 高集成度:高电流能力和低电阻,降低功耗。
    - 高可靠性:具备抗冲击能力,简化电路设计。
    - 低驱动损耗:便于并联连接。
    - 多系列:包含多种系列,如 VS 系列、PS 系列、SSM 系列等,适应不同应用场景。

    技术参数


    规格和性能参数
    | 参数 | 范围 |

    | VDSS(最大击穿电压) | 12V 到 1000V |
    | ID(连续漏极电流) | 最大可达 500A |
    | RDS(on)(导通电阻) | 低至 0.04Ω |
    | Qg(栅极电荷) | 低至 0.05nC |
    支持的电气特性
    - 栅极驱动电压范围:1.8V 至 10V。
    - 温度范围:-55°C 至 +175°C。
    工作环境
    - 额定工作温度:-55°C 至 +175°C。
    - 存储温度范围:-65°C 至 +175°C。

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 高耐压:采用双扩散 MOS 结构,具备高耐压能力。
    - 低导通电阻:低导通电阻减少功耗,提升能效。
    - 高速开关特性:支持高速开关,适用于快速响应需求。
    - 紧凑封装:提供多种紧凑型封装,适合空间受限的应用。
    应用中的重要性和市场竞争力
    Toshiba 的 MOSFET 产品在高密度电子应用中具有显著优势,不仅能够实现高效的功率转换,还能提升系统整体性能,降低功耗。其独特的结构和特性使其在手机、笔记本电脑、便携式设备、电池保护等领域拥有广泛的应用前景。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    - 手机(电源电路):为手机提供稳定的电源管理。
    - 笔记本电脑(电源电路):提升笔记本电脑电源系统的效率。
    - 锂离子电池(保护电路):为电池提供保护,延长使用寿命。
    - 电机驱动器(电源驱动电路):提高电机驱动器的控制精度和可靠性。
    使用建议
    - 在选择 MOSFET 时,根据具体应用的电压和电流要求进行选择。
    - 确保符合所需的工作环境和温度范围,避免因温度过高导致的性能下降。
    - 结合实际应用场景,选择合适的封装类型以优化系统布局。

    兼容性和支持


    兼容性
    Toshiba 的 MOSFET 产品支持多种不同的封装类型,如 VS 系列、PS 系列、SSM 系列等,适用于多种 PCB 设计,易于集成。
    厂商支持
    - 技术支持:Toshiba 提供详尽的技术文档和支持服务。
    - 维护更新:定期发布产品更新和替代方案,确保长期技术支持。

    常见问题与解决方案


    用户可能遇到的问题及解决方案
    1. 问题:MOSFET 温度过高。
    - 解决方案:检查散热设计,确保足够的冷却措施。

    2. 问题:MOSFET 频繁失效。
    - 解决方案:确保 MOSFET 运行在额定电压和电流范围内,避免过载。
    3. 问题:MOSFET 无法正常开启。
    - 解决方案:检查驱动信号,确保驱动电压符合要求。

    总结和推荐


    综合评估
    Toshiba 的 MOSFET 产品在多个方面表现出色,尤其在高频、低损耗和高可靠性的应用上具有明显优势。其丰富的系列选择和优异的电气特性使得其在多种高密度电子应用中展现出强大的市场竞争力。
    推荐使用
    强烈推荐在需要高性能、高可靠性和紧凑封装的电子设备中使用 Toshiba 的 MOSFET 产品。无论是移动通信设备、便携式电子产品还是工业控制设备,Toshiba 的 MOSFET 都将是理想的选择。

TPCA8056-H,LQ(M参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.2nF@10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 1.6W(Ta),63W(Tc)
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 48A
栅极电荷 74nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2mΩ@ 24A,10V
长*宽*高 5mm*5mm*950μm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

TPCA8056-H,LQ(M厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPCA8056-H,LQ(M数据手册

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TPCA8056-H,LQ(M封装设计

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