处理中...

首页  >  产品百科  >  TPN5900CNH,L1Q(M

TPN5900CNH,L1Q(M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 39W 20V 4V 7nC@ 10V 150V 59mΩ@ 10V 460pF@ 75V SOP-8
供应商型号: TPN5900CNH,L1Q(M
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPN5900CNH,L1Q(M

TPN5900CNH,L1Q(M概述

    # TPN5900CNH MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TPN5900CNH 是一款由 Toshiba 生产的高性能硅 N 沟道 MOSFET(U-MOS-H 型),适用于高效率的直流-直流转换器和开关电压调节器。该器件采用了先进的 TSON Advance 封装技术,确保了高度可靠性和卓越性能。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 150 V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 漏极电流 (连续) (ID): 18 A
    - 漏极电流 (脉冲) (IDP): 35 A
    - 功率耗散 (PD): 39 W (Tc=25℃)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 37 mJ
    - 雪崩电流 (IAR): 9.0 A
    - 结温 (Tch): 150 ℃
    - 存储温度 (Tstg): -55 ℃ 至 150 ℃
    热阻抗
    - 结至外壳热阻 (Rth(ch-c)): 3.20 ℃/W
    - 结至环境热阻 (Rth(ch-a)): 65.7 ℃/W (Tc=25℃)
    - 结至环境热阻 (Rth(ch-a)): 178 ℃/W
    电气特性
    - 栅泄漏电流 (IGSS): 10 µA (最大)
    - 漏源截止电流 (IDSS): 10 µA (最大)
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 150 V
    - 栅阈值电压 (Vth): 2.0 V 至 4.0 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)): 50 mΩ (典型值) (VGS=10 V)

    3. 产品特点和优势


    - 高速开关: TPN5900CNH 具有出色的开关速度,能够显著提高系统效率。
    - 低栅电荷: 典型值为 2.6 nC,减少了驱动损耗。
    - 低导通电阻: 典型值为 50 mΩ,有效降低功耗。
    - 低漏电流: 最大值为 10 µA,提高了系统的稳定性和可靠性。
    - 增强模式: 栅阈值电压范围为 2.0 V 至 4.0 V,易于驱动。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    TPN5900CNH 广泛应用于高效率的直流-直流转换器和开关电压调节器。例如,在通信设备、服务器电源和可再生能源系统中,TPN5900CNH 可以显著提高能效和稳定性。
    使用建议
    1. 散热管理: 由于其较高的功率耗散能力,应确保良好的散热管理,特别是在满负荷运行时。
    2. 电压限制: 确保栅源电压不超过 ±20 V,避免损坏器件。
    3. 负载管理: 为了防止器件过热,建议不要长时间在高负载条件下工作。

    5. 兼容性和支持


    TPN5900CNH 与其他常见的电子元器件具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的电路设计中。Toshiba 提供详尽的技术支持和文档,包括《Toshiba Semiconductor Reliability Handbook》和相关的可靠性测试报告。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 产品寿命短:
    - 解决方案: 确保操作条件在绝对最大额定值范围内,并进行适当的可靠性设计。

    2. 过热问题:
    - 解决方案: 改善散热措施,如增加散热片或使用更好的散热材料。

    3. 驱动问题:
    - 解决方案: 确保栅源电压不超过 ±20 V,并考虑使用合适的驱动电路。

    7. 总结和推荐


    TPN5900CNH 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,特别适合于高效率的直流-直流转换器和开关电压调节器。其独特的高速开关性能、低导通电阻和低漏电流等特点使其在多种应用场景中表现出色。此外,Toshiba 提供了详尽的技术支持和文档,确保用户能够顺利使用该产品。总体而言,我们强烈推荐 TPN5900CNH 在需要高效率和高可靠性的场合中使用。

TPN5900CNH,L1Q(M参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
配置 -
FET类型 -
最大功率耗散 39W
Rds(On)-漏源导通电阻 59mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 460pF@ 75V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Vds-漏源极击穿电压 150V
栅极电荷 7nC@ 10V
通用封装 SOP-8
包装方式 卷带包装

TPN5900CNH,L1Q(M厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPN5900CNH,L1Q(M数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TPN5900CNH,L1Q(M TPN5900CNH,L1Q(M数据手册

TPN5900CNH,L1Q(M封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 3.125
10000+ ¥ 2.95
20000+ ¥ 2.8
40000+ ¥ 2.7
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 15625
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
070N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
086N10N-VB TO262 ¥ 3.887
0902NS-VB ¥ 3.498
091N06N-VB TO220 ¥ 3.887
100N06L-VB ¥ 3.1091
12N50C3-VB TO247 ¥ 12.5579
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0
130N03M-VB ¥ 1.9435
13P03SC-VB ¥ 1.5546