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SSM6J412TU,LF(T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 1W 8V 1V 12.8nC@ 4.5V 20V 42.7mΩ@ 4.5V 840pF@ 10V 贴片安装 2mm*1.7mm*700μm
供应商型号: SSM6J412TU,LF(T
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) SSM6J412TU,LF(T

SSM6J412TU,LF(T概述

    # 电子元器件技术手册:TOSHIBA SSM6J412TU P-Channel MOSFET

    产品简介


    SSM6J412TU 是一款由东芝(TOSHIBA)生产的硅基P沟道MOSFET(U-MOSⅥ),属于功率管理开关应用。这种MOSFET具有较低的导通电阻,适用于多种高效率的电源管理设计。它广泛应用于通信、计算机、工业控制等多个领域,是构建高效能电路的关键组件之一。

    技术参数


    额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): -20V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±8V
    - 连续漏极电流 \( ID \): -4.0A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DP} \): -16.0A (10μs, 1% 占空比)
    - 功率耗散 \( PD \): 1W (FR4板上)
    - 额定温度范围 \( T{stg} \): -55°C 至 150°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): -20V
    - 漏源关断电流 \( I{DSS} \): -1μA (VDS = -20V, VGS = 0V)
    - 栅漏电流 \( I{GSS} \): ±1μA (VGS = ±8V, VDS = 0V)
    - 栅阈电压 \( V{th} \): -0.3V 至 -1.0V
    - 导通电阻 \( R{DS(ON)} \):
    - \( V{GS} = -1.5V \): 99.6mΩ (最大)
    - \( V{GS} = -1.8V \): 67.8mΩ (最大)
    - \( V{GS} = -2.5V \): 51.4mΩ (最大)
    - \( V{GS} = -4.5V \): 42.7mΩ (最大)
    动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 840pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 118pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 99pF (VDS = -10V, VGS = 0V, f = 1MHz)

    产品特点和优势


    SSM6J412TU 具有以下显著特点:
    1. 低导通电阻:在不同的栅源电压下,导通电阻保持较低水平,确保高效的电流传输。
    2. 高可靠性:能够在极端环境下稳定工作,如-55°C至150°C的温度范围内。
    3. 快速响应时间:较低的输入电容和输出电容使得其在高频应用中表现出色。
    4. 良好的热稳定性:具备优良的热阻抗,确保在连续高负荷条件下可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:由于其低导通电阻和较高的电流处理能力,适合用于直流-直流转换器、电机驱动和其他电源管理应用。
    - 高频开关:由于其较小的输入电容和输出电容,可以轻松集成到高频切换电路中。
    使用建议
    1. 散热管理:在高功率应用中,注意外部散热措施以确保MOSFET不因过热而失效。
    2. 驱动电路设计:使用合适的栅极驱动电路以确保MOSFET在正确的电压范围内开启和关闭。
    3. 环境保护:操作时需采取防静电措施,避免静电损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:SSM6J412TU 可与多种电路板材料兼容,如FR4板。详细热阻抗和功耗信息可参考技术手册。
    - 支持和维护:东芝提供详细的技术文档、可靠性手册及客户支持服务,帮助用户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 导通电阻随温度变化如何?
    - 解答:可以通过查阅图表观察,导通电阻随温度升高略有增加。对于不同的栅源电压,RDS(ON)的变化趋势也不同。
    2. 栅源电压过高是否会导致损坏?
    - 解答:绝对最大额定值为±8V。超过此值可能导致损坏。确保使用适当的栅极驱动器并遵循设计规范。
    3. 如何改善电路的热稳定性?
    - 解答:选择合适尺寸和厚度的散热片,或使用专门的散热器。确保良好的热连接和适当的散热路径。

    总结和推荐


    SSM6J412TU 是一款高性能的P沟道MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性、良好的动态特性和广泛的温度适应性。适用于多种电源管理和高频开关应用。综合考虑其优异的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐这款产品。然而,在使用过程中务必关注散热管理和电路设计的细节,以确保最佳性能和延长使用寿命。

SSM6J412TU,LF(T参数

参数
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 12.8nC@ 4.5V
最大功率耗散 1W
FET类型 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 840pF@ 10V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 42.7mΩ@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 8V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
长*宽*高 2mm*1.7mm*700μm
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

SSM6J412TU,LF(T厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

SSM6J412TU,LF(T数据手册

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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA SSM6J412TU,LF(T SSM6J412TU,LF(T数据手册

SSM6J412TU,LF(T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.2
6000+ ¥ 1.1328
12000+ ¥ 1.0752
24000+ ¥ 1.0368
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
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最小起订量为:3000
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