处理中...

首页  >  产品百科  >  TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 1.6W(Ta),78W(Tc) 20V 4V@1mA 72nC@ 10 V 1个N沟道 60V 2.3mΩ@ 30A,10V 60A 6.1nF@30V SOP 贴片安装 5mm*5mm*950μm
供应商型号: TPH2R306NH,L1Q
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q概述

    TPH2R306NH MOSFET 技术手册

    产品简介


    TPH2R306NH 是一款由东芝半导体(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)生产的 N 沟道 MOSFET,属于 U-MOS-H 系列。这种 MOSFET 主要用于直流-直流转换器、开关电压调节器和电机驱动等领域。它具备高频率开关能力、低漏源导通电阻和低漏电流等特点,使其在这些应用中表现出色。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 栅极漏电流 (IGSS):≤ ±0.1 μA
    - 漏源截止电流 (IDSS):≤ 10 μA
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):≥ 45 V
    - 栅阈电压 (Vth):2.0 至 4.0 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)):典型值为 1.9 mΩ (在 VGS=10 V, ID=15 A 下)

    - 热特性:
    - 芯片到外壳热阻 (Rth(ch-c)):最大 1.60 °C/W
    - 芯片到环境热阻 (Rth(ch-a)):最大 44.6 °C/W (标准板),78.1 °C/W (FR-4 板)
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS):60 V
    - 栅源电压 (VGSS):±20 V
    - 漏电流 (ID):连续 DC 电流 130 A (标准板),脉冲电流 60 A (持续时间 10 秒)
    - 功率耗散 (PD):2.8 W (标准板),1.6 W (FR-4 板)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):2.8 mJ

    产品特点和优势


    TPH2R306NH 的主要优势包括:
    - 高速开关能力:适用于高频开关的应用场景。
    - 低栅极电荷:QSW = 26 nC (典型值),有助于减少开关损耗。
    - 低导通电阻:RDS(ON) = 1.9 mΩ (典型值),显著降低了导通损耗。
    - 低漏电流:IDSS = 10 μA (最大值),适合长时间工作的应用。
    - 增强模式:阈值电压 Vth = 2.0 至 4.0 V (典型值),便于控制和使用。

    应用案例和使用建议


    TPH2R306NH MOSFET 广泛应用于以下几个领域:
    - 直流-直流转换器:由于其低导通电阻和高速开关能力,非常适合需要高效转换的应用。
    - 开关电压调节器:低漏电流确保了长时间稳定的工作,提高调节器的可靠性。
    - 电机驱动:增强模式使得控制电路设计更加简单可靠。
    使用建议:
    - 散热管理:使用标准玻璃环氧树脂板时,建议选择合适的散热方案,以确保芯片温度不超过 150°C。
    - 安全操作区域:参考数据手册中的安全操作区域曲线,确保工作条件在允许范围内。

    兼容性和支持


    - 封装选项:提供两种封装选项,即 SOP Advance 和 SOP Advance(N),可根据需求选择。
    - 厂商支持:东芝提供了详细的技术文档和支持服务,用户可通过东芝销售代表获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:漏源电压超过最大额定值
    - 解决方案:检查系统设计,确保漏源电压在安全范围内。
    - 问题2:过高的温度导致失效
    - 解决方案:使用有效的散热方案,确保芯片温度不超过 150°C。
    - 问题3:栅极漏电流过高
    - 解决方案:确认栅极电压在安全范围内,避免超限操作。

    总结和推荐


    TPH2R306NH MOSFET 以其卓越的性能、可靠的特性和广泛的应用范围,成为高性能应用的理想选择。对于需要高频、高效转换的应用场景,推荐使用 TPH2R306NH。该产品通过出色的热管理和高效的电气特性,在众多应用中展现出色的表现,是市场上极具竞争力的产品之一。

TPH2R306NH,L1Q参数

参数
栅极电荷 72nC@ 10 V
最大功率耗散 1.6W(Ta),78W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 60A
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3mΩ@ 30A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.1nF@30V
长*宽*高 5mm*5mm*950μm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TPH2R306NH,L1Q厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPH2R306NH,L1Q数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TPH2R306NH,L1Q TPH2R306NH,L1Q数据手册

TPH2R306NH,L1Q封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 11.7708
10000+ ¥ 11.5746
20000+ ¥ 11.3784
40000+ ¥ 11.1823
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 58854
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504