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TK4A60DA(STA4,Q,M)

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 30V 4.4V@1mA 11nC@ 10 V 1个N沟道 600V 2.2Ω@ 1.8A,10V 3.5A 490pF@25V TO-220SIS 通孔安装 10mm*4.5mm*15mm
供应商型号: TK4A60DA(STA4,Q,M)
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK4A60DA(STA4,Q,M)

TK4A60DA(STA4,Q,M)概述


    产品简介


    TK4A60DA 是东芝公司生产的一种硅基N沟道场效应晶体管(MOSFET),型号为π-MOSⅦ。这种MOSFET适用于开关调节器应用。它具有低导通电阻、高前向转移电导率和低漏电流等特点,使其在各种电力电子应用中表现出色。

    技术参数


    绝对最大额定值(Ta = 25°C)
    - 漏源电压:VDSS = 600 V
    - 栅源电压:VGSS = ±30 V
    - 漏极电流(连续):ID = 3.5 A
    - 漏极电流(脉冲):IDP = 14 A
    - 漏极功耗(Tc = 25°C):PD = 35 W
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 158 mJ
    - 雪崩电流:IAR = 3.5 A
    - 重复雪崩能量:EAR = 3.5 mJ
    - 芯片温度:Tch = 150 °C
    - 存储温度范围:Tstg = -55 至 150 °C
    热特性
    - 热阻,芯片到外壳:Rth (ch-c) = 3.57 °C/W
    - 热阻,芯片到环境:Rth (ch-a) = 62.5 °C/W
    电气特性(Ta = 25°C)
    - 栅极泄漏电流:IGSS = ±1 μA
    - 漏极截止电流:IDSS = 10 μA
    - 漏源击穿电压:V(BR)DSS = 600 V
    - 栅阈电压:Vth = 2.4 至 4.4 V
    - 漏源导通电阻:RDS (ON) = 1.7 Ω
    - 前向转移电导率:|Yfs| = 2.2 S
    - 输入电容:Ciss = 490 pF
    - 反向转移电容:Crrs = 3 pF
    - 输出电容:Coss = 55 pF
    - 上升时间:tr = 18 ns
    - 开启时间:ton = 40 ns
    - 下降时间:tf = 8 ns
    - 关闭时间:toff = 55 ns
    - 总栅极电荷:Qg = 11 nC
    - 栅源电荷:Qgs = 6 nC
    - 栅漏电荷:Qgd = 5 nC

    产品特点和优势


    TK4A60DA 的主要特点包括:
    - 低导通电阻:RDS (ON) = 1.7 Ω(典型值),这有助于降低功耗并提高效率。
    - 高前向转移电导率:|Yfs| = 2.2 S(典型值),可快速响应,适合高频应用。
    - 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值),确保长时间使用时的稳定性和可靠性。
    - 增强模式:Vth = 2.4 至 4.4 V(典型值),方便驱动控制。
    这些特点使其特别适用于开关电源、电机驱动和其他电力电子应用,具备优异的性能和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关调节器:TK4A60DA 作为开关调节器的一部分,可以有效降低功耗并提高转换效率。
    - 功率变换器:适用于各种功率变换器,如DC-DC转换器和逆变器,因为它具有良好的动态响应和低功耗特性。
    使用建议:
    - 热管理:考虑到高漏极功耗,确保电路设计中加入适当的散热措施,以避免因过热导致的损坏。
    - 驱动电路设计:建议使用合适的栅极驱动电路,以确保快速而稳定的开关过程。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 标准封装:采用SC-67封装,易于与其他电子元器件集成。
    - RoHS兼容:符合RoHS标准,环保安全。
    支持:
    - 文档和技术支持:东芝提供详细的用户手册、应用笔记和可靠性测试报告,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免产品过热?
    解决方法:合理布局散热片,确保器件周围空气流通,并适当降低负载电流。
    问题2:栅极驱动电流不足怎么办?
    解决方法:使用较低内阻的栅极驱动器,或增加栅极驱动电阻以减少开关损耗。

    总结和推荐


    总结:
    - 优点:
    - 低导通电阻:提升能效。
    - 高前向转移电导率:快速响应。
    - 低漏电流:确保长期稳定性。
    - 增强模式:易于驱动控制。
    - 应用场景:
    - 适用于开关电源、电机驱动和其他电力电子应用。
    推荐:
    - 强烈推荐:TK4A60DA 在众多电力电子应用中表现出色,其低导通电阻和高前向转移电导率使其成为高性能开关调节器的理想选择。如果需要高效且可靠的MOSFET,此产品是不二之选。

TK4A60DA(STA4,Q,M)参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 1.8A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 3.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 490pF@25V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 独立式
栅极电荷 11nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.4V@1mA
最大功率耗散 -
长*宽*高 10mm*4.5mm*15mm
通用封装 TO-220SIS
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

TK4A60DA(STA4,Q,M)厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK4A60DA(STA4,Q,M)数据手册

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TK4A60DA(STA4,Q,M)封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.1628
5000+ ¥ 2.1255
7500+ ¥ 2.0882
12500+ ¥ 2.051
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最小起订量为:2500
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型号 价格(含增值税)
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