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TK12P60W

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 100W 30V 25nC@ 10V 1个N沟道 600V 340mΩ@ 10V 46A 890pF@ 300V TO-252 导线安装,贴片安装
供应商型号: TK12P60W
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK12P60W

TK12P60W概述

    # TK12P60W MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本描述
    TK12P60W 是一种硅基N沟道MOSFET(DTMOS),采用超级结结构设计,适用于开关电压调节器等领域。此产品于2012年9月开始投入商业生产。
    主要功能
    - 低导通电阻: 典型值为0.265Ω,由超级结结构(DTMOS)实现。
    - 易于控制的栅极开关: 提供稳定的开关性能。
    - 增强模式: 阈值电压在2.7至3.7V之间(VDS=10V,ID=0.6mA)。
    应用领域
    - 开关电压调节器

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 600 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
    | 漏极电流(直流) | ID | 11.5 | A |
    | 漏极电流(脉冲) | IDP | 46.0 | A |
    | 功率耗散 | PD | 100 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 140 | mJ |
    | 雪崩电流 | IAR | 3.0 | A |
    | 反向漏极电流(直流) | IDR | 11.5 | A |
    | 反向漏极电流(脉冲) | IDRP | 46.0 | A |
    | 结温 | Tch | 150 | °C |
    | 存储温度 | Tstg | -55至150 | °C |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 漏极到外壳热阻 | Rth(ch-c) | 1.25 | °C/W |
    电气特性
    静态特性
    | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 栅泄漏电流 | IGSS | ±1 | µA |
    | 漏源切断电流 | IDSS | 10 | V |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 600 | V |
    | 栅阈值电压 | Vth | 2.7至3.7 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) | 0.265至0.34 | Ω |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 输入电容 | Ciss | 890 | pF |
    | 逆向传输电容 | Crss | 2.8 | Ω |
    | 输出电容 | Coss | 23 | pF |
    | 有效输出电容 | Co(er) | 23 | pF |
    | 栅极电阻 | rg | 41 | Ω |
    | 开关时间(上升时间) | tr | 6.5 | ns |
    | 开关时间(开通时间) | ton | 23 | ns |
    | 开关时间(下降时间) | tf | 45 | ns |
    | 开关时间(关断时间) | toff | 5.5 | ns |
    | MOSFET dv/dt鲁棒性 | dv/dt | 85 | V/ns |
    栅极电荷特性
    | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 总栅极电荷(栅源加栅漏) | Qg | 25 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs1 | 5.5 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | 11 | nC |
    源极-漏极特性
    | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 二极管正向电压 | VDSF | -1.7 | V |
    | 反向恢复时间 | trr | 250 | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | 2.3 | µC |
    | 峰值反向恢复电流 | Irr | 20 | A |
    | 二极管dv/dt鲁棒性 | dv/dt | 15 | V/ns |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 超级结结构确保了低导通电阻(典型值为0.265Ω),提升了整体性能。
    - 易于控制: 内置的DTMOS技术使得门极开关更简单、稳定。
    - 温度范围广: 该产品的工作温度范围宽,能够适应多种工作环境。
    - 快速响应: 出色的动态特性使其能够快速响应,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电压调节器:TK12P60W MOSFET 作为核心组件应用于各类开关电压调节器中,可以显著提高效率和稳定性。

    使用建议
    - 在设计电路时,请确保负载不会超出绝对最大额定值,以避免因过载导致的可靠性降低。
    - 考虑到器件的栅极敏感性,应采取措施保护门极以防止静电放电损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: TK12P60W MOSFET 采用 DPAK 封装,具有标准引脚布局,易于与各种电路板集成。
    - 支持: 如需更多信息或技术支持,请联系 TOSHIBA 销售代表。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 门极电压超出安全范围 | 使用内部电路确保门极电压不超过绝对最大额定值。 |
    | 工作温度超出限定范围 | 请设计适当的散热机制,确保工作温度不超出规定范围。 |
    | 高电流脉冲导致损坏 | 确保电流脉冲不超过额定值,并提供有效的散热措施。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    - TK12P60W MOSFET 具有出色的电气性能和广泛的应用范围,尤其适用于开关电压调节器。其低导通电阻、高可靠性以及快速响应特性使其在市场上具备很强的竞争力。

    推荐使用
    - 基于其优良的性能和可靠性,强烈推荐使用 TK12P60W MOSFET 作为核心元件应用于各类开关电压调节器及其他相关领域。

TK12P60W参数

参数
栅极电荷 25nC@ 10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 独立式withbuilt-indiode
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 340mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 46A
最大功率耗散 100W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 890pF@ 300V
通用封装 TO-252
安装方式 导线安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TK12P60W厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK12P60W数据手册

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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TK12P60W TK12P60W数据手册

TK12P60W封装设计

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