处理中...

首页  >  产品百科  >  TK12A50D(STA4,X,M)

TK12A50D(STA4,X,M)

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: Silicon N Channel MOSFET
供应商型号: TK12A50D(STA4,X,M)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK12A50D(STA4,X,M)

TK12A50D(STA4,X,M)概述

    TK12A50D N通道MOSFET晶体管技术手册

    产品简介


    TK12A50D 是一款由东芝(TOSHIBA)制造的场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET),属于硅基N沟道增强型金属氧化物半导体(Metal-Oxide-Semiconductor,MOS)器件,具体型号为π-MOSⅦ。这款晶体管主要用于开关调节器(Switching Regulator)应用中。其具有低导通电阻、高前向转移电导率和低漏电流等特点,适合在多种电子电路中作为功率控制元件使用。

    技术参数


    以下是TK12A50D的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): 500V
    - 栅源电压 \(V{GSS}\): ±30V
    - 持续漏极电流 \(ID\): 12A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DP}\): 48A
    - 漏极耗散功率 (Tc = 25°C): 45W
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 364mJ
    - 雪崩电流 \(I{AR}\): 12A
    - 重复雪崩能量 \(E{AR}\): 4.5mJ
    - 结温 \(T{ch}\): 150°C
    - 存储温度范围 \(T{stg}\): -55°C至150°C
    - 电气特性
    - 栅泄漏电流 \(I{GSS}\): 在 \(V{GSS} = \pm 30\) V, \(V{DS} = 0\) V条件下,\(\pm 1 \mu\) A
    - 漏源截止电流 \(I{DSS}\): 在 \(V{DS} = 500\) V, \(V{GS} = 0\) V条件下,10 \(\mu\) A
    - 漏源击穿电压 \(V{(BR)}\): 在 \(ID = 10\) mA, \(V{GS} = 0\) V条件下,500V
    - 栅阈值电压 \(V{th}\): 在 \(V{DS} = 10\) V, \(ID = 1\) mA条件下,2.0 至 4.0 V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(ON)}\): 在 \(V{GS} = 10\) V, \(ID = 6\) A条件下,0.45 \(\Omega\)(典型值)
    - 前向转移电导率 \(|Y{fs}|\): 在 \(V{DS} = 10\) V, \(ID = 6\) A条件下,6.0 S(典型值)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:\(R{DS(ON)} = 0.45 \Omega\)(典型值),适用于高效能的应用。
    - 高前向转移电导率:\( |Y{fs}| = 6.0 \) S(典型值),确保快速响应时间。
    - 低漏电流:\( I{DSS} = 10 \mu\) A(最大值),保证长时间工作的可靠性。
    - 增强模式:栅阈值电压 \( V{th} = 2.0 \) 至 \( 4.0 \) V(典型值),便于控制和集成到现有系统中。

    应用案例和使用建议


    TK12A50D N沟道MOSFET广泛应用于开关调节器中,如直流-直流转换器、电池充电器等。以下是几个实际使用场景的分析和建议:
    - 场景一:开关调节器
    在高频开关电源设计中,可以利用其低导通电阻和高前向转移电导率,减少能量损失并提高效率。

    - 使用建议
    确保设计时考虑热管理,避免长时间在高温环境下运行。选择合适的驱动电阻(如100 \(\Omega\)),以优化开关速度和能耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品符合JEDEC标准和RoHS规范,适用于各种工业应用。
    - 支持信息:请咨询您的东芝销售代表,获取更多关于环境兼容性(如RoHS)的信息及技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何处理静电敏感问题?
    - 解决方案:在操作过程中务必小心,避免静电放电损坏设备。

    - 问题二:设备工作时出现过热现象怎么办?
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或风扇。

    总结和推荐


    总体而言,TK12A50D凭借其出色的性能参数和多功能应用,是一款值得推荐的高可靠性N沟道MOSFET晶体管。其低导通电阻和高前向转移电导率显著提升了系统的整体效能。对于需要高可靠性和高性能的应用场合,如开关调节器和其他功率控制电路,建议优先选用TK12A50D。

TK12A50D(STA4,X,M)参数

参数
FET类型 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220-3

TK12A50D(STA4,X,M)厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK12A50D(STA4,X,M)数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TOSHIBA TK12A50D(STA4,X,M) TK12A50D(STA4,X,M)数据手册

TK12A50D(STA4,X,M)封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.25
5000+ ¥ 2.124
10000+ ¥ 2.016
20000+ ¥ 1.944
库存: 25000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 5625
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504