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SSM6L16FE(TE85L,F)

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 150mW 10V 1.1V 1个N沟道,1个P沟道 20V 18Ω 100mA 11pF@ 3V @ P Channel,9.3pF@ 3V @ N Channel ES-6-6 贴片安装,黏合安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: SEU-SSM6L16FE(TE85L,F)
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) SSM6L16FE(TE85L,F)

SSM6L16FE(TE85L,F)概述


    产品简介


    SSM6L16FE是一款由东芝公司生产的场效应晶体管(Field Effect Transistor),型号为硅PN通道MOS型(π-MOSVI)。它主要应用于高速开关和模拟开关等领域。SSM6L16FE具有小封装和低导通电阻的特点,使其成为广泛应用的理想选择。

    技术参数


    以下是SSM6L16FE的主要技术规格:
    Q1(N-channel MOSFET):
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 \(V{GSS}\): \(\pm 10\) V
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): 20 V
    - 连续漏电流 \(ID\): 100 mA
    - 脉冲漏电流 \(I{DP}\): 200 mA
    - 功率耗散 \(PD\): 150 mW (装配在FR4板上)
    - 频道温度 \(T{ch}\): 150 ℃
    - 存储温度范围 \(T{stg}\): \(-55\) 到 150 ℃
    - 电气特性
    - 栅漏电流 \(I{GSS}\): \(\pm 1\) μA (VGS = ±10 V, VDS = 0)
    - 击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): 20 V (ID = 0.1 mA, VGS = 0)
    - 截止电流 \(I{DSS}\): 1 μA (VDS = 20 V, VGS = 0)
    - 门限电压 \(V{th}\): 0.6 - 1.1 V (VDS = 3 V, ID = 0.1 mA)
    - 转移电导 \(|Y{fs}|\): 40 mS (VDS = 3 V, ID = 10 mA)
    - 导通电阻 \(R{DS(ON)}\): 2.2 - 4.0 Ω (ID = 10 mA, VGS = 2.5 V)
    Q2(P-channel MOSFET):
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 \(V{GSS}\): \(\pm 10\) V
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): -20 V
    - 连续漏电流 \(ID\): -100 mA
    - 脉冲漏电流 \(I{DP}\): -200 mA
    - 功率耗散 \(PD\): 150 mW (装配在FR4板上)
    - 频道温度 \(T{ch}\): 150 ℃
    - 存储温度范围 \(T{stg}\): \(-55\) 到 150 ℃
    - 电气特性
    - 栅漏电流 \(I{GSS}\): \(\pm 1\) μA (VGS = ±10 V, VDS = 0)
    - 击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): -20 V (ID = -0.1 mA, VGS = 0)
    - 截止电流 \(I{DSS}\): -1 μA (VDS = -20 V, VGS = 0)
    - 门限电压 \(V{th}\): -0.6 - -1.1 V (VDS = -3 V, ID = -0.1 mA)
    - 转移电导 \(|Y{fs}|\): 25 mS (VDS = -3 V, ID = -10 mA)
    - 导通电阻 \(R{DS(ON)}\): 8 - 12 Ω (ID = -10 mA, VGS = -2.5 V)

    产品特点和优势


    SSM6L16FE的主要特点是:
    - 小封装:方便安装和布局设计。
    - 低导通电阻:Q1的最大导通电阻为4 Ω (VGS = 2.5 V),Q2的最大导通电阻为12 Ω (VGS = -2.5 V),使得在开关应用中具有出色的能效。
    - 宽广的工作温度范围:从-55 ℃到150 ℃,适用于多种恶劣环境。
    - 稳定的可靠性:经过严格测试,确保长期使用稳定可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高速开关应用:适用于需要快速响应和高频率开关的电路。
    - 模拟开关应用:可用于需要精确控制信号传输的应用场景。
    使用建议:
    - 在设计时应注意散热问题,以避免过热损坏。
    - 根据具体应用场景选择合适的门限电压(\(V{th}\))和驱动电压(\(V{GS}\))。
    - 严格按照数据手册中的推荐条件进行操作,避免超出绝对最大额定值。

    兼容性和支持


    SSM6L16FE可以与其他标准的电子元器件和设备兼容。东芝公司提供详尽的技术支持和维护信息,包括产品手册、技术文档和常见问题解答。客户可通过官方网站或联系当地的销售代表获取进一步的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确保产品的可靠性?
    - 解决方法:参考东芝半导体可靠性手册中的处理预防措施和降额概念与方法。

    2. 问题:如何确定正确的驱动电压?
    - 解决方法:根据数据手册中的参数表选择合适的驱动电压,通常VGS (on)需高于Vth,而VGS (off)需低于Vth。

    3. 问题:如何防止静电损伤?
    - 解决方法:在处理未安装的产品时,确保工作环境免受静电影响,穿戴防静电服装并使用防静电材料。

    总结和推荐


    SSM6L16FE凭借其低导通电阻、宽广的工作温度范围和小封装设计,使其成为高速开关和模拟开关应用的理想选择。该产品在可靠性方面表现出色,并且提供了详尽的技术支持和维护信息。因此,强烈推荐使用SSM6L16FE来实现高效可靠的电子设计。

SSM6L16FE(TE85L,F)参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置
Id-连续漏极电流 100mA
Vgs-栅源极电压 10V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 18Ω
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11pF@ 3V @ P Channel,9.3pF@ 3V @ N Channel
最大功率耗散 150mW
FET类型 1个N沟道,1个P沟道
通道数量 2
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 ES-6-6
安装方式 贴片安装,黏合安装

SSM6L16FE(TE85L,F)厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

SSM6L16FE(TE85L,F)数据手册

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SSM6L16FE(TE85L,F)封装设计

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型号 价格(含增值税)
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