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TPC8114(TE12L,Q,M)

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 1.9W 20V 2V 180nC 1个P沟道 30V 4.5mΩ 18A 7.48nF@ 10V SOP-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.68mm
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TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TPC8114(TE12L,Q,M)

TPC8114(TE12L,Q,M)概述

    TPC8114 MOSFET 技术手册

    产品简介


    TPC8114 是一款由东芝公司生产的硅材质增强型 P 沟道 MOSFET(U-MOSⅣ),它广泛应用于锂离子电池管理、笔记本电脑和其他便携式设备中。这种类型的电子元器件以其紧凑的封装尺寸、低导通电阻以及高前向传输电纳而著称,非常适合于高效率、高性能的应用场景。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压: \( V{DSS} \) = -30 V
    - 栅漏电压: \( V{DGR} \) = -30 V
    - 栅源电压: \( V{GSS} \) = ±20 V
    - 漏电流: \( I{DSS} \) = -10 μA (最大值)
    - 饱和漏源电流: \( I{D} \) = -18 A (连续),-72 A (脉冲)
    - 热特性:
    - 热阻:
    - 通道到环境热阻 \( R{th(ch-a)} \):
    - \( t = 10 \text{ s} \): 65.8 °C/W (玻璃环氧板)
    - \( t = 10 \text{ s} \): 125 °C/W (玻璃环氧板)
    - 电气特性:
    - 导通电阻: \( R{DS(ON)} \) = 3.1 mΩ (典型值)
    - 前向传输电纳: \( |Y{fs}| \) = 47 S (典型值)
    - 输入电容: \( C{iss} \) = 7480 pF
    - 反向传输电容: \( C{rss} \) = 1320 pF
    - 输出电容: \( C{oss} \) = 1460 pF (VDS = -10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)


    产品特点和优势


    TPC8114 具有以下独特功能和优势:
    - 小封装尺寸: 适合空间受限的应用。
    - 低导通电阻: \( R{DS(ON)} \) = 3.1 mΩ (典型值),有助于提高系统能效。
    - 高前向传输电纳: \( |Y{fs}| \) = 47 S (典型值),有助于快速响应。
    - 低漏电流: \( I{DSS} \) = -10 μA (最大值),确保在关闭状态下极低的漏电流。
    - 增强模式: \( V{th} \) = -0.8 到 -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA),适用于多种应用需求。

    应用案例和使用建议


    TPC8114 主要应用于锂离子电池管理系统、笔记本电脑和便携式设备。以下是该产品的一些实际使用场景和建议:
    - 锂离子电池管理系统: 由于其低导通电阻和高前向传输电纳,TPC8114 非常适合用于电池管理系统,可以有效减少能量损耗并提高系统的整体效率。
    - 笔记本电脑: 在电源管理和电池充电电路中使用,有助于延长电池寿命并提升系统稳定性。
    - 便携式设备: 由于其紧凑的封装和低功耗特性,适合于智能手机、平板电脑等设备。

    兼容性和支持


    TPC8114 具有良好的兼容性,可以与其他标准的电子元器件和设备无缝集成。东芝公司提供了详尽的技术支持文档和可靠性手册,以帮助用户正确使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及其解决方案:
    - Q: 如何防止静电损坏?
    - A: 请遵循正确的静电防护措施,如佩戴防静电手环,并确保操作台面接地良好。
    - Q: 产品出现异常发热怎么办?
    - A: 检查电路设计是否合理,确保适当的散热措施。如果持续发热,请联系技术支持。

    总结和推荐


    TPC8114 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,特别适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其紧凑的封装尺寸和优秀的电气特性使其成为锂离子电池管理、笔记本电脑和其他便携式设备的理想选择。因此,我强烈推荐使用这款产品。
    以上是对 TPC8114 的详细介绍,希望对您的选择和应用提供帮助。

TPC8114(TE12L,Q,M)参数

参数
FET类型 1个P沟道
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.48nF@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ
栅极电荷 180nC
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 1.9W
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.68mm
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

TPC8114(TE12L,Q,M)厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TPC8114(TE12L,Q,M)数据手册

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TPC8114(TE12L,Q,M)封装设计

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