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TK56E12N1,S1X(S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: TOSHIBA
产品描述: 168W 20V 4V 69nC@ 10V 1个N沟道 120V 7mΩ@ 10V 112A 4.2nF@ 60V TO-220 通孔安装 4.45mm(宽度)*15.1mm(高度)
供应商型号: 11M-TK56E12N1,S1X(S
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
TOSHIBA 场效应管(MOSFET) TK56E12N1,S1X(S

TK56E12N1,S1X(S概述

    TK56E12N1 MOSFET 技术手册

    产品简介


    TK56E12N1 是一款由 Toshiba 公司生产的 N 沟道 MOSFET(U-MOS-H),具有卓越的性能和广泛的应用前景。此型号 MOSFET 主要用于开关电压调节器,适用于需要高效率和低功耗的应用场合。

    技术参数


    - 启动生产日期:2012年7月
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压:±20V
    - 漏极电流(直流):112A
    - 漏极电流(脉冲):219A
    - 功率耗散:168W
    - 单脉冲雪崩能量:110mJ
    - 雪崩电流:56A
    - 渠道温度:150°C
    - 存储温度:-55至150°C
    - 热阻特性:
    - 渠道到外壳热阻:0.74°C/W
    - 渠道到环境热阻:83.3°C/W
    - 加装散热器后的渠道到环境热阻:2.77°C/W
    - 电气特性:
    - 栅泄漏电流:≤ ±0.1 µA
    - 漏极截止电流:≤ 10 µA
    - 漏极-源极击穿电压:≥ 90V
    - 漏极-源极导通电阻:5.8 mΩ(典型值)
    - 输入电容:≥ 4200 pF
    - 反向转移电容:≤ 19 pF
    - 输出电容:≥ 650 pF
    - 栅电阻:2.1 Ω
    - 开关时间(上升时间):≤ 20 ns
    - 开关时间(开时间):≤ 45 ns
    - 开关时间(下降时间):≤ 23 ns
    - 开关时间(关时间):≤ 73 ns

    产品特点和优势


    1. 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V),提供了极高的电流传输效率。
    2. 低栅泄漏电流:IDSS = 10 µA(最大值)(VDS = 120 V),保证了长时间使用的稳定性和可靠性。
    3. 增强模式:Vth = 2.0 到 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA),适合多种应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:开关电压调节器、电机驱动、电池管理等。
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,避免高温导致性能下降。
    - 考虑加装散热器,以降低热阻。
    - 设计时需考虑可靠性和寿命问题,参考《Toshiba 半导体可靠性手册》。

    兼容性和支持


    - 封装:TO-220
    - 其他兼容性:该型号 MOSFET 与多种应用设备兼容,可以与现有系统无缝集成。
    - 支持和服务:Toshiba 提供详细的可靠性数据和测试报告,客户可获取全面的技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温下运行不稳。
    - 解决方案:确保安装良好的散热装置,减少发热。
    2. 问题:栅极信号不稳定。
    - 解决方案:检查接线和电路设计,确保信号质量。
    3. 问题:开关时间过长。
    - 解决方案:选择合适的电容和电阻配置,优化电路设计。

    总结和推荐


    总体而言,TK56E12N1 MOSFET 在性能上表现出色,尤其在低导通电阻和高温稳定性方面有着显著优势。尽管需要注意散热和可靠性问题,但凭借其优越的性能和广泛的应用范围,非常值得推荐。对于需要高效率和可靠性的应用场合,TK56E12N1 是一个理想的选择。

TK56E12N1,S1X(S参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 112A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Vds-漏源极击穿电压 120V
最大功率耗散 168W
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.2nF@ 60V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 69nC@ 10V
长*宽*高 4.45mm(宽度)*15.1mm(高度)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装

TK56E12N1,S1X(S厂商介绍

东芝(TOSHIBA)是一家日本跨国企业,成立于1875年,总部位于东京。东芝主要从事电子、能源和基础设施领域的业务,其产品和技术广泛应用于多个行业。

主营产品分类:
1. 电子:包括笔记本电脑、电视、空调、冰箱等家用电器,以及半导体、存储设备等电子产品。
2. 能源:涉及核能、太阳能、风能等可再生能源的开发和应用。
3. 基础设施:包括电力系统、交通系统、水处理系统等基础设施建设。

应用领域:
1. 工业:自动化设备、工业机器人等。
2. 医疗:医疗影像设备、诊断设备等。
3. 交通:铁路、地铁、汽车等交通工具的电子系统。
4. 通信:通信基站、数据中心等通信设施。

东芝的优势:
1. 技术创新:东芝在电子、能源和基础设施领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品和技术。
2. 品牌影响力:作为一家历史悠久的跨国企业,东芝在全球享有较高的知名度和信誉。
3. 多元化业务:东芝的业务覆盖多个领域,能够为客户提供一站式解决方案。
4. 国际化布局:东芝在全球设有多个分支机构,能够更好地服务全球客户。

TK56E12N1,S1X(S数据手册

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TK56E12N1,S1X(S封装设计

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