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STW10NK60Z

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh, SuperMESH系列, Vds=600 V, 10 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 30C-STW10NK60Z TO-247-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STW10NK60Z

STW10NK60Z概述


    产品简介


    STB10NK60Z, STP10NK60Z, STP10NK60ZFP, STW10NK60Z
    这些器件是STMicroelectronics公司采用SuperMESH™技术制造的N沟道600V,0.65Ω(典型值),10A耐压的功率MOSFET,适用于I²PAK、D²PAK、TO-220、TO-220FP、TO-247封装。STB10NK60Z系列MOSFET专为开关应用设计,具备高dv/dt能力、Zener保护和低栅极电荷等特点。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):600V
    - 最大连续漏极电流 (ID):10A(TC = 25°C);5.7A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):36A
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):0.75Ω(典型值)
    - 总功耗 (PTOT):115W(I²PAK、D²PAK、TO-220)、35W(TO-220FP)、156W(TO-247)
    - 栅极-源极电压 (VGS):±30V
    - 绝缘承受电压 (VISO):2500V(RMS)

    产品特点和优势


    STB10NK60Z系列具有以下显著优势:
    - 极高dv/dt能力:适合需要高速开关的应用。
    - 100%雪崩测试:确保高可靠性和耐用性。
    - 栅极电荷最小化:降低功耗和提高效率。
    - Zener保护:增强ESD防护能力和瞬态电压吸收能力。
    - SuperMESH™技术:实现低导通电阻和高耐压。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:如UPS、通信电源等。
    - 电机驱动:控制电机的启停和调速。
    - LED照明:用于驱动LED阵列。
    使用建议:
    - 确保散热良好,尤其是在高电流应用中。
    - 选择合适的封装以满足散热需求。
    - 避免电压瞬变对栅极造成损害,可以考虑使用额外的电路保护措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:STB10NK60Z系列与现有电路板设计高度兼容,能够轻松集成到现有的电源系统中。
    - 支持和维护:STMicroelectronics提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够快速解决问题并充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 器件过热:如何改善散热?
    - 解决方案:增加散热片,使用大尺寸散热器,或者选择更大的封装来提高散热能力。

    2. 栅极电荷过高:如何降低功耗?
    - 解决方案:采用较低阻值的栅极电阻(如4.7Ω),减少栅极电荷积累。
    3. 瞬态电压损坏栅极:如何保护栅极?
    - 解决方案:添加外部Zener二极管或其他保护电路,防止瞬态电压冲击。

    总结和推荐


    总结:
    STB10NK60Z系列MOSFET具备出色的性能和可靠性,特别适合需要高速开关和高耐压的应用场景。其独特的SuperMESH™技术实现了低导通电阻和高耐压,同时内置Zener保护增强了ESD防护能力。
    推荐:
    对于需要高性能和可靠性的开关应用,强烈推荐使用STB10NK60Z系列MOSFET。凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,STB10NK60Z系列是市场上最具竞争力的产品之一。

STW10NK60Z参数

参数
栅极电荷 70nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 4.5A,10V
最大功率耗散 156W(Tc)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.37nF@25V
配置 独立式
长*宽*高 15.75mm*5.15mm*20.15mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

STW10NK60Z厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STW10NK60Z数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STW10NK60Z STW10NK60Z数据手册

STW10NK60Z封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 9.713
10+ ¥ 8.096
600+ ¥ 7.711
12000+ ¥ 7.667
18000+ ¥ 7.612
库存: 26
起订量: 1 增量: 600
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