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STW24N60M2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh M2系列, Vds=650 V, 18 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 30C-STW24N60M2 TO-247-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STW24N60M2

STW24N60M2概述


    产品简介


    STB24N60M2, STI24N60M2, STP24N60M2, STW24N60M2 是由ST(意法半导体)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些产品采用最新的MDmesh II Plus™低栅极电荷技术,能够在高效率转换器应用中提供出色的性能。具体来说,这些MOSFET具有极低的导通电阻和栅极电荷,使得它们非常适合开关应用。它们有多种封装形式,包括D2PAK、I2PAK、TO-220和TO-247。

    技术参数


    电气额定值
    - 栅极-源极电压:±25V
    - 持续漏极电流(TC = 25°C):18A
    - 单脉冲雪崩电流:3.5A
    - 单脉冲雪崩能量:180mJ
    - 最大总功耗:150W
    热参数
    - 结-壳热阻(最大值):0.83°C/W
    - 结-板热阻(最大值):30°C/W
    - 结-环境热阻(最大值):62.5°C/W
    电气特性
    - 导通电阻(典型值):0.168Ω
    - 输入电容:1060pF
    - 输出电容:55pF
    - 反向转移电容:2.2pF
    - 总栅极电荷:29nC
    - 开启延迟时间(典型值):14ns
    - 关闭延迟时间(典型值):60ns

    产品特点和优势


    优势特点:
    1. 极低的栅极电荷:这有助于降低功耗并提高开关速度。
    2. 更低的RDS(on)×面积:相比于前一代产品,这种设计提供了更好的性能。
    3. 低栅极输入电阻:改善了驱动性能。
    4. 100%雪崩测试:确保产品的可靠性。
    5. 齐纳保护:提高了电路的稳定性。
    市场竞争力:
    - 在高效率转换器中表现出色,适合各种开关应用。
    - 极低的RDS(on)使得其在高负载电流条件下仍能保持较低的功耗。
    - 极低的栅极电荷使得其能够快速切换,提高了系统的整体效率。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET广泛应用于需要高效率转换的应用场景,如电源适配器、电池充电器、逆变器和马达驱动系统等。
    使用建议:
    - 在设计时要考虑到其工作温度范围为-55°C至150°C,确保散热设计合理。
    - 使用适当的热管理措施来保持结温低于最大允许值(150°C)。
    - 需要注意栅极电压的最大限制(±25V),防止过电压损坏器件。

    兼容性和支持


    这些MOSFET可以与其他标准封装的组件兼容,例如D2PAK、I2PAK、TO-220和TO-247。ST公司提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助客户进行设计和故障排除。此外,他们还提供相应的热管理和电磁干扰控制指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何确保设备在高温环境下的正常工作?
    - 解决方案: 通过合理的散热设计和选择合适的散热器来保证结温不超过150°C。

    - 问题: 如何避免因栅极电压过高而引起的损坏?
    - 解决方案: 使用适当的栅极驱动电路,并且严格控制栅极电压不超过±25V。

    总结和推荐


    综上所述,STB24N60M2、STI24N60M2、STP24N60M2 和 STW24N60M2 是高度可靠的高性能N沟道功率MOSFET。它们不仅在电气特性和热特性方面表现优异,而且具备出色的开关性能和高可靠性。因此,对于那些需要高效率和高可靠性的开关应用,强烈推荐使用这些产品。

STW24N60M2参数

参数
配置 -
栅极电荷 29nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 25V
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 150W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.06nF@100V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 9A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
长*宽*高 15.75mm*5.15mm*20.15mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

STW24N60M2厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STW24N60M2数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STW24N60M2 STW24N60M2数据手册

STW24N60M2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.49
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600+ ¥ 4.62
12000+ ¥ 4.598
18000+ ¥ 4.565
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