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STD7N90K5

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 110W(Tc) 30V 5V@ 100µA 17.7nC@ 10V 1个N沟道 900V 810mΩ@ 10V 7A 425pF@ 100V DPAK,TO-252-3 贴片安装 6.5mm(长度)*6.1mm(宽度)
供应商型号: LYS-STD7N90K5
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STD7N90K5

STD7N90K5概述


    产品简介


    STD7N90K5 900 V N-Channel Power MOSFET
    STD7N90K5 是一款高电压N沟道功率MOSFET,基于MDmesh K5技术制造。MDmesh K5 技术采用创新的垂直结构,显著降低了通态电阻(RDS(on))并实现了超低的栅极电荷(Qg),适用于需要高功率密度和高效率的应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大耐压(VDS) | 900 | V |
    | 最小导通电阻(RDS(on))| 0.72 | Ω |
    | 持续漏电流(ID) | 7 | A |
    | 脉冲峰值漏电流(IDM) | 28 | A |
    | 集电极功率(PTOT) | 90 | W |
    | 门极-源极电压(VGS) | ±30 | V |
    | 热阻抗(RthJA) | 50 | °C/W |
    | 额定工作温度范围 | -55 到 150 | °C |

    产品特点和优势


    - 业界最低的RDS(on) x 面积:这使得该器件在相同面积下具有更低的导通电阻。
    - 最佳的FOM (Figure of Merit):优化了RDS(on) 和Qg 的比例,从而提高了整体性能。
    - 超低的栅极电荷:降低了开关损耗,提高了开关速度。
    - 百分之百雪崩测试通过:确保器件在极端条件下的可靠性。
    - 稳压保护:提供过压保护,增加了产品的安全性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:利用其低导通电阻和高效率特性,在开关电源中实现高效能转换。
    - 逆变器:应用于电动汽车和光伏逆变器,提高系统整体效率。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应注意确保栅极驱动信号的强度能够有效地控制栅极电荷,以达到最佳的开关性能。
    - 在设计散热系统时,考虑到较高的热阻,需要合理分配散热路径,以避免因过热而导致器件损坏。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:该产品采用DPAK封装,可以轻松与其他同类产品进行替换。
    - 厂商支持:STMicroelectronics 提供详尽的技术文档和支持,用户可以通过其全球销售网络获得技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过低 | 优化栅极驱动电路,增加开关速度 |
    | 过热问题 | 改进散热设计,增加散热片或使用更大尺寸的散热器 |
    | 导通电阻过高 | 确认工作温度范围内的RDS(on)符合要求 |

    总结和推荐


    总结:
    STD7N90K5 以其卓越的性能、可靠的雪崩测试通过和优越的散热特性,成为高功率密度和高效率应用的理想选择。其优秀的FOM和低导通电阻使其在市场上具有很强的竞争力。
    推荐:
    对于需要高功率密度和高效率的应用场合,强烈推荐使用STD7N90K5。其出色的性能表现和广泛的应用领域使其成为一个值得信赖的选择。

STD7N90K5参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 425pF@ 100V
最大功率耗散 110W(Tc)
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 17.7nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 100µA
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 810mΩ@ 10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.5mm(长度)*6.1mm(宽度)
通用封装 DPAK,TO-252-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

STD7N90K5厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STD7N90K5数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STD7N90K5 STD7N90K5数据手册

STD7N90K5封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.667 ¥ 5.6362
7500+ $ 0.6496 ¥ 5.4891
12500+ $ 0.638 ¥ 5.3911
库存: 120000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 14090.5
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