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STP10NK60ZFP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh, SuperMESH系列, Vds=600 V, 10 A, TO-220FP封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: STP10NK60ZFP
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STP10NK60ZFP

STP10NK60ZFP概述

    # STB10NK60Z, STP10NK60Z, STP10NK60ZFP, STW10NK60Z:高性能N通道功率MOSFET

    产品简介



    产品简介


    STB10NK60Z、STP10NK60Z、STP10NK60ZFP 和 STW10NK60Z 是一系列由STMicroelectronics公司开发的高性能N通道功率MOSFET。这些器件采用了先进的SuperMESH™技术,在降低通态电阻的同时,还具备高dv/dt能力,适用于各种开关应用。本系列MOSFET提供多种封装形式,包括I2PAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP和TO-247,以适应不同应用场景的需求。
    主要功能
    - 高dv/dt能力:即使在高压变化时也能保持稳定工作。
    - 极低的通态电阻(RDS(on)):典型值为0.65Ω,能有效减少能耗。
    - 高电流处理能力:连续电流达到10A,峰值脉冲电流高达36A。
    应用领域
    - 开关电源
    - 电机驱动器
    - 照明系统
    - 通信设备

    技术参数


    关键电气参数
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 600 | V |
    | 漏极电流(ID,连续) | 10 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 36 | A |
    | 总耗散功率(PTOT) | 115, 35, 156| W |
    | 门极-源极电压范围 | ±30 | V |
    | 额定温度范围 | -55到150 | °C |
    热特性
    - 热阻:Junction-Case最大热阻为1.09°C/W(I²PAK)、3.6°C/W(D²PAK)、0.8°C/W(TO-247)
    其他关键指标
    - 雪崩耐受能力:重复或非重复雪崩电流可达9A,单次脉冲雪崩能量可达300mJ。
    - 电容特性:输入电容Ciss最大为1370pF;输出电容Coss最大为37pF。

    产品特点和优势


    - 极高dv/dt能力:在面对高压瞬变时仍能保持稳定的开关性能。
    - 内置Zener保护:不仅增强了静电放电(ESD)防护能力,还避免了外部组件的使用,提高了系统的可靠性。
    - 低门极电荷:有效减少了开关损耗,适合高频应用。
    - 高可靠性:100%经过雪崩测试验证,确保在最恶劣条件下仍能正常运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:利用其低RDS(on)和高dv/dt能力,可以设计出高效、可靠的开关电源。
    - 电机驱动:在电机控制应用中,能够承受高脉冲电流,保障电机稳定运行。
    使用建议
    - 在选择MOSFET时,考虑具体应用中的电压和电流需求,合理匹配型号。
    - 设计电路时应注意散热管理,确保热阻满足应用要求,防止过热损坏。
    - 针对高频应用,需关注电容特性和门极电荷对整体性能的影响。

    兼容性和支持


    - 本系列产品提供了丰富的封装选项,方便用户根据具体应用选择合适的封装。
    - STMicroelectronics公司为该系列产品提供了详尽的技术支持文档,涵盖安装、调试及维护等方面,帮助用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常温升 | 检查散热设计是否符合要求,并适当增加散热措施。|
    | 开关速度慢 | 检查门极电容是否过大,必要时可减小门极电容。|
    | 启动瞬间电流过大 | 检查启动电路设计,适当添加限流电阻或电感。|

    总结和推荐


    综上所述,STB10NK60Z、STP10NK60Z、STP10NK60ZFP 和 STW10NK60Z 系列N通道功率MOSFET凭借其出色的性能和多样化的封装选择,在开关电源、电机驱动等领域有着广泛的应用前景。无论是对性能要求极高的工业设备,还是普通消费电子产品,这些MOSFET都是理想的选择。因此,我们强烈推荐使用这一系列的MOSFET来提升您的电子设备的效率和可靠性。

STP10NK60ZFP参数

参数
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 4.5A,10V
最大功率耗散 35W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.37nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 1
栅极电荷 70nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
10.4mm(Max)
4.6mm(Max)
20mm(Max)
通用封装 TO-220FP
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

STP10NK60ZFP厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STP10NK60ZFP数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP数据手册

STP10NK60ZFP封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 1.61
3000+ ¥ 1.5594
5000+ ¥ 1.5207
10000+ ¥ 1.458
库存: 12000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 1610
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型号 价格(含增值税)
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