处理中...

首页  >  产品百科  >  STB80NF55-08T4

STB80NF55-08T4

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 155nC@ 10 V 1个N沟道 55V 8mΩ@ 40A,10V 80A 3.85nF@25V D2PAK 贴片安装 10.4mm*9.35mm*4.6mm
供应商型号: 497-3737-2-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STB80NF55-08T4

STB80NF55-08T4概述

    STB80NF55-08T4, STP80NF55-08, STW80NF55-08 N-channel 55V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    STB80NF55-08T4, STP80NF55-08, 和 STW80NF55-08 是来自意法半导体(STMicroelectronics)的一款高性能N沟道55V MOSFET,主要用于开关应用。该系列产品具备低导通电阻(<0.008Ω)、高电流处理能力(80A)和良好的热稳定性,可应用于多种电子设备中,如电源管理、电机驱动和各种工业控制系统。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS): 55V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)): <0.008Ω
    - 连续电流 (ID): 80A
    - 脉冲电流 (IDM): 320A
    - 总耗散功率 (PTOT): 300W
    - 结温范围 (Tj): -55°C 至 175°C
    - 结壳热阻 (Rthj-case): 最大值为0.5°C/W
    - 结环境热阻 (Rthj-amb): 最大值为35°C/W
    - 雪崩电流 (IAR): 最大值为40A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 1000mJ

    3. 产品特点和优势


    - 高集成度: 采用“单一特征尺寸”条形基片工艺,确保了极高的集成密度。
    - 低导通电阻: RDS(on) 低至0.0065Ω,有效降低功耗。
    - 高电流处理能力: 可持续提供80A电流,且能在脉冲模式下处理高达320A的电流。
    - 优秀的热稳定性: 良好的散热设计确保在宽广的工作温度范围内保持稳定性能。
    - 高可靠性: 具备优秀的雪崩耐受能力,适用于高可靠性的工业应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于DC-DC转换器中的开关管,如太阳能逆变器。
    - 作为电机驱动器中的开关元件,以提高能效。
    - 在通信设备的电源管理模块中使用,提供稳定的电力供应。
    使用建议:
    - 在设计应用时,需注意散热设计,以避免过热现象。可以选择适当的散热器或者PCB布局来优化散热效果。
    - 确保电路板符合相关的电气规范要求,特别是在高功率应用中,要保证足够的布线空间和走线宽度,避免电流过大导致的压降和热应力。
    - 根据应用需求选择合适的封装形式(TO-220, D2PAK, TO-247),以适应不同的空间和散热要求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与市场上常见的电子元器件具有良好的兼容性,可广泛应用于各种电子设备中。
    - 支持: 意法半导体提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速上手和解决问题。此外,还提供了丰富的在线资源和技术论坛,便于用户交流经验和获取技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关时间较长。
    - 解决办法: 调整栅极电阻值,优化驱动电路设计,减少开关延迟时间。

    - 问题: 过热导致器件损坏。
    - 解决办法: 增加散热措施,如使用更大面积的散热片或改进散热路径。

    - 问题: 雪崩耐受能力不足。
    - 解决办法: 确保工作电压不超过器件额定值,适当增加雪崩能量保护措施。

    7. 总结和推荐


    STB80NF55-08T4, STP80NF55-08, 和 STW80NF55-08 在高功率开关应用中表现优异,具备低导通电阻、高电流处理能力和出色的热稳定性。这些特性使其成为许多工业应用的理想选择。我们强烈推荐这些产品,尤其是在需要高可靠性和高效能的场合。不过,用户在使用过程中需要注意散热和电路设计问题,以充分发挥其性能优势。

STB80NF55-08T4参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.85nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 155nC@ 10 V
配置 独立式
最大功率耗散 300W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 40A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 80A
Vds-漏源极击穿电压 55V
长*宽*高 10.4mm*9.35mm*4.6mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

STB80NF55-08T4厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STB80NF55-08T4数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STB80NF55-08T4 STB80NF55-08T4数据手册

STB80NF55-08T4封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 9.7458
2000+ ¥ 9.0787
库存: 0
起订量: 1000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504