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STL260N4F7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 188W(Tc) 20V 4V@ 250µA 72nC@ 10 V 1个N沟道 40V 1.1mΩ@ 24A,10V 5nF@25V 贴片安装 5.2mm(长度)*6mm(宽度)
供应商型号: STL260N4F7
供应商: 国内现货
标准整包数: 2
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STL260N4F7

STL260N4F7概述


    产品简介


    STL260N4F7 N-Channel Power MOSFET
    STL260N4F7是一款采用STripFET F7技术的N沟道功率MOSFET,其主要特点包括非常低的导通电阻(RDS(on)),以及内部电容和栅极电荷的减少,以实现更快更高效的开关操作。它适用于多种电力转换和控制应用,如电源管理、电动机驱动和新能源汽车等领域。

    技术参数


    - 主要技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS):40V
    - 最大持续漏电流(ID):120A
    - 最大脉冲漏电流(IDM):480A
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):典型值为0.9mΩ
    - 输入电容(Ciss):最大值为5000pF
    - 输出电容(Coss):最大值为1800pF
    - 反向转移电容(Crss):最大值为145pF
    - 总栅极电荷(Qg):典型值为72nC
    - 电气特性:
    - 阻断电压(V(BR)DSS):最小值为40V
    - 门体漏电流(IGSS):最大值为100nA
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):最小值为2V,最大值为4V
    - 热阻:
    - 结壳热阻(Rthj-case):0.8°C/W
    - 结板热阻(Rthj-pcb):31.3°C/W
    - 工作温度范围:
    - 储存温度范围(Tstg):-55°C至175°C
    - 操作结温范围(Tj):-55°C至175°C

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻(RDS(on)):这是市场上同类产品中最低之一,有助于减少能耗和提高效率。
    - 优秀的FoM(品质因数):使得开关过程更加高效。
    - 低Crss/Ciss比率:有助于提高电磁干扰(EMI)免疫力。
    - 高雪崩鲁棒性:增强了产品的可靠性和耐用性。
    - 优化的电路设计:采用先进的STripFET F7技术,具有低电容和栅极电荷特性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    STL260N4F7广泛应用于电力管理和控制领域,例如:
    - 开关电源
    - 电机驱动系统
    - 新能源汽车的电池管理系统
    - 工业自动化设备
    使用建议
    - 电路布局:确保良好的散热设计以避免过热问题。
    - 驱动电路:选择合适的驱动电阻(RG)以保证快速稳定的开关性能。
    - 负载匹配:根据应用需求选择合适的驱动电压和负载条件。

    兼容性和支持


    STL260N4F7与大多数标准电子元器件和系统具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有电路中。制造商ST提供详尽的技术文档和支持,包括设计指南、测试电路和样片请求服务,以帮助客户顺利开发和调试产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 导通电阻(RDS(on))过高怎么办?
    - A: 检查散热设计是否合理,确保温度不超过额定范围。如果散热没有问题,可能需要检查电路连接和驱动条件是否正确。
    - Q: 为什么输出电容(Coss)较大?
    - A: 这是由于内部结构和材料特性决定的,可以通过优化电路布局来减轻其影响。使用高速开关电路和低感抗布局可以有效降低输出电容的影响。
    - Q: 如何提高电磁干扰(EMI)免疫能力?
    - A: 选择低Crss/Ciss比的产品,如STL260N4F7,并进行有效的屏蔽和滤波设计。在电路布局中,注意减少不必要的走线长度和寄生电感。

    总结和推荐


    总结:
    STL260N4F7 N-Channel Power MOSFET以其超低的导通电阻(RDS(on))、出色的FoM(品质因数)和低Crss/Ciss比率,在众多应用场合中表现出色。其高雪崩鲁棒性和优化的设计使其成为电力管理和控制领域的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐给需要高性能、高效率开关解决方案的应用场合。无论是电力转换、电动机驱动还是新能源汽车等领域,STL260N4F7都将是您的不二之选。

STL260N4F7参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 188W(Tc)
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1mΩ@ 24A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 72nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 5.2mm(长度)*6mm(宽度)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

STL260N4F7厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STL260N4F7数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STL260N4F7 STL260N4F7数据手册

STL260N4F7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 20.819
100+ ¥ 19.7674
250+ ¥ 18.7774
500+ ¥ 17.8656
3000+ ¥ 11.95
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