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STD3PK50Z

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 70W(Tc) 30V 4.5V@ 100µA 20nC@ 10 V 1个P沟道 500V 4Ω@ 1.4A,10V 620pF@25V DPAK 贴片安装
供应商型号: 497-12121-2-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STD3PK50Z

STD3PK50Z概述

    高质量文章:STD3PK50Z 产品技术手册

    1. 产品简介


    STD3PK50Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)开发的P沟道高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Power MOSFET)。它采用SuperMESH™ 技术,能够在极高的dv/dt下稳定工作,具有显著降低的导通电阻(on-resistance),适用于多种开关应用。其工作电压可达500V,最大电流为2.8A,非常适合需要高可靠性和高能效的应用场景。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: |
    | VDS | 500 | 500 | 500 | V |
    | VGS | ±30 | ±30 | ±30 | V |
    | ID (TC=25°C) | - | 2.8 | 2.8 | A |
    | ID (TC=100°C) | - | 1.8 | 1.8 | A |
    | IDM | - | 11 | 11 | A |
    | PTOT (TC=25°C) | - | 70 | 70 | W |
    | RDS(on) (VGS=10V, ID=1.4A) | 3 | 4 | 4 | Ω |
    此外,STD3PK50Z还具备以下几个关键的技术指标:
    - 极低的输入电容(Ciss)
    - 改进的静电放电(ESD)能力
    - 高达200mJ的单脉冲雪崩能量(EAS)
    - 确保可靠性的高可靠性测试(如100%雪崩测试)

    3. 产品特点和优势


    - 最小化的栅极电荷:减少开关过程中的能量损耗。
    - 极高dv/dt能力:适用于高速开关应用。
    - 100%雪崩测试:确保长期使用的可靠性。
    - 极低的固有电容:减少栅极驱动需求,提高整体效率。
    - 改进的ESD能力:内置的背对背齐纳二极管有助于保护器件免受静电放电损坏。
    这些特性使得STD3PK50Z在开关电源、电机控制和其他高可靠性要求的应用中表现出色,具有较高的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:由于其高耐压能力和低导通电阻,非常适合用于高效率的开关电源设计。
    - 电机控制:能够承受高瞬态电压和电流冲击,保证电机驱动系统的稳定性。
    使用建议:
    - 在设计时,考虑到高dv/dt的应用环境,需合理配置电路,以避免过压问题。
    - 为了充分发挥其高耐压和低导通电阻的优势,建议采用合适的散热措施,确保在高温环境下也能保持良好的性能。

    5. 兼容性和支持


    STD3PK50Z采用DPAK封装,与其他标准DPAK封装的产品兼容,易于集成到现有设计中。意法半导体提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。对于需要大批量采购的客户,还可以通过其供应链管理获得更优质的服务。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,MOSFET的性能下降明显。
    解决方案:增加外部散热措施,例如使用散热片或散热风扇来辅助降温。
    2. 问题:器件启动时出现不稳定现象。
    解决方案:检查并调整栅极驱动电路的设计,确保其满足器件的要求。
    3. 问题:过高的dv/dt导致浪涌电压。
    解决方案:在电路设计中加入缓冲电路,减缓电压变化率,从而保护器件。

    7. 总结和推荐


    总结:
    - 高耐压:500V的工作电压使其适合高电压应用场景。
    - 低导通电阻:典型值仅为3Ω,能够有效减少能耗。
    - 改进的ESD能力:增强了抗静电放电的能力,提升了长期使用的可靠性。
    - 极低的固有电容:减少了栅极驱动需求,提高了整体效率。
    推荐:
    STD3PK50Z是一款集高性能和高可靠性于一体的P沟道高压功率MOSFET,尤其适用于开关电源和电机控制等领域。它在高温环境下的稳定表现及出色的dv/dt能力使其成为众多高要求应用的理想选择。因此,强烈推荐使用STD3PK50Z进行设计。

STD3PK50Z参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 100µA
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω@ 1.4A,10V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 620pF@25V
最大功率耗散 70W(Tc)
栅极电荷 20nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
6.6mm(Max)
6.2mm(Max)
2.63mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

STD3PK50Z厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STD3PK50Z数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STD3PK50Z STD3PK50Z数据手册

STD3PK50Z封装设计

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