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STP130N6F7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET F7系列, Vds=60 V, 80 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 3132762
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STP130N6F7

STP130N6F7概述


    产品简介


    STP130N6F7是一款由STMicroelectronics生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于STripFET™ F7系列。这款电子元器件主要用于开关应用,如电源转换器、电机驱动和其他需要高效、高速开关的应用。其基本功能包括低导通电阻、快速和高效的开关性能以及卓越的电磁干扰(EMI)免疫能力。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | 60 | V |
    | 栅源电压 | ±20 | V |
    | 持续漏电流 | 80 | A |
    | 脉冲漏电流 | 320 | A |
    | 总耗散功率 | 160 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | 200 | mJ |
    | 结壳热阻 | 0.94 | °C/W |
    | 结温热阻 | 62.5 | °C/W |
    | 静态漏源导通电阻 | 4.2 ~ 5.0 | mΩ |

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻:STP130N6F7拥有非常低的导通电阻(典型值为4.2 mΩ),使其成为市场上最高效的MOSFET之一。
    - 优秀的品质因数(FoM):具备出色的开关性能。
    - 低栅极电容:有助于减少电磁干扰,提升EMI免疫力。
    - 高雪崩鲁棒性:能够在恶劣环境下保持稳定的工作状态。
    - STripFET™ F7技术:先进的沟槽栅极结构,使得导通电阻低的同时减少了内部电容和栅极电荷。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:适用于高频开关电源的设计,因为它的低电阻和快速开关特性可以显著提高效率。
    - 电机驱动:在电动机控制系统中,低损耗和高可靠性是关键因素,STP130N6F7能够满足这些要求。
    - 逆变器系统:在太阳能逆变器和其他电力变换设备中,这款MOSFET的低功耗特性使其成为理想选择。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保散热系统能够有效工作,以避免过热问题。
    - 利用ST提供的测试电路进行验证,确保正确设置门极电阻(RG)以达到最佳性能。
    - 对于关键应用,考虑加入额外的保护措施,如钳位二极管,以应对突发情况下的瞬态电压。

    兼容性和支持


    STP130N6F7采用TO-220封装,可以轻松安装在标准PCB上。此外,ST公司提供全面的技术文档和支持服务,包括应用指南、设计工具和客户服务热线。用户可以通过ST官方网站获取更多资料和技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 降低开关频率或增加散热措施 |
    | 电磁干扰问题 | 减少电容和电感的影响,或者使用滤波器 |
    | 高频噪声 | 使用低噪声的门极驱动器,或者改进电路布局 |

    总结和推荐


    综上所述,STP130N6F7凭借其卓越的导通电阻、快速开关特性和出色的EMI免疫力,非常适合应用于各种高要求的电力转换系统。其在高频开关电源和电机驱动等领域的表现尤为出色。因此,对于需要高性能MOSFET的应用场合,我们强烈推荐使用STP130N6F7。

STP130N6F7参数

参数
Id-连续漏极电流 80A
栅极电荷 42nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 40A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.6nF@25V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 160W(Tc)
长*宽*高 10.4mm*4.6mm*9.15mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

STP130N6F7厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STP130N6F7数据手册

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STMICROELECTRONICS 场效应管(MOSFET) STMICROELECTRONICS STP130N6F7 STP130N6F7数据手册

STP130N6F7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 9.8211
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