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2N6660

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: SOLID STATE
产品描述: 110W 5.5V@ 250uA 25nC@ 10V 1个N沟道 200V 2.335Ω@10V,8A 13A 830pF@25V TO-39 通孔安装
供应商型号: 2080949
供应商: element14
标准整包数: 1
SOLID STATE 场效应管(MOSFET) 2N6660

2N6660参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250uA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 830pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.335Ω@10V,8A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 110W
栅极电荷 25nC@ 10V
Id-连续漏极电流 13A
通用封装 TO-39
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 盒装

2N6660厂商介绍

Solid State公司是一家专注于固态存储解决方案的高科技企业。公司主营产品包括固态硬盘(SSD)、内存模块、存储卡等,广泛应用于数据中心、企业级服务器、消费电子产品、工业控制等多个领域。

Solid State的产品分类主要有:
1. 固态硬盘(SSD):包括消费级和企业级产品,提供不同容量和接口选择。
2. 内存模块:包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4等不同规格的内存条。
3. 存储卡:包括SD卡、TF卡等,适用于各种便携式设备。

Solid State的优势在于:
1. 技术创新:公司拥有强大的研发实力,不断推出高性能、高可靠性的新产品。
2. 品质保证:产品经过严格的质量控制和测试,确保稳定性和耐用性。
3. 定制服务:可根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用场景的需求。
4. 快速响应:拥有完善的供应链和物流体系,能够快速响应市场变化和客户需求。

2N6660数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SOLID STATE 场效应管(MOSFET) SOLID STATE 2N6660 2N6660数据手册

2N6660封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 44.0436
10+ ¥ 36.53
100+ ¥ 30.98
500+ ¥ 28.45
1000+ ¥ 26.15
库存: 677
起订量: 1 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 44.04
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