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RZE002P02TL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 150mW(Ta) 10V 1V@ 100µA 1.4nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 1.2Ω@ 200mA,4.5V 200mA 115pF@10V 贴片安装
供应商型号: RZE002P02TL
供应商: 国内现货
标准整包数: 8000
ROHM 场效应管(MOSFET) RZE002P02TL

RZE002P02TL概述


    产品简介


    RZE002P02 是一款由ROHM公司生产的1.2V驱动P沟道MOSFET,属于硅基P沟道MOSFET。它主要用于开关应用,具有高开关速度、小封装(EMT3)等特点。这款MOSFET在众多领域均有广泛应用,例如电源管理和控制电路。

    技术参数


    以下是RZE002P02的主要技术规格和性能参数:
    - 电压范围:
    - 漏源电压 \(V{DSS}\):-20V
    - 栅源电压 \(V{GSS}\):±10V
    - 最大脉冲电流 \(I{DP}\):±800mA
    - 连续漏极电流 \(ID\):±200mA
    - 电气特性:
    - 输出电容 \(C{oss}\):6pF (VGS=0V)
    - 输入电容 \(C{iss}\):9.6pF (VDS=-10V)
    - 关断延迟时间 \(td (off)\):17ns
    - 导通延迟时间 \(td (on)\):17ns
    - 热特性:
    - 结到环境热阻 \(R{th(ch-a)}\):833°C/W
    - 最大功率耗散 \(PD\):150mW
    - 存储温度范围:
    - 最低存储温度:-55°C
    - 最高存储温度:+150°C

    产品特点和优势


    1. 高开关速度:适合需要快速响应的应用。
    2. 小封装:EMT3 封装设计,适用于空间受限的应用。
    3. 1.2V驱动:较低的驱动电压有助于减少功耗和提高效率。
    4. 低内阻:低至0.8Ω的导通电阻确保了较高的能效。
    5. 可靠的设计:通过严格的质量控制和测试,保证产品长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源管理:用于开关电源的高效转换。
    - 电机驱动:适合作为电动机驱动器中的开关组件。
    - 通信设备:在通信设备中作为信号开关。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其高功率密度,建议采用良好的散热措施以避免过热。
    - 驱动电路设计:确保驱动电路能够提供适当的栅极电压以实现最佳性能。
    - 注意环境温度:确保产品的工作环境温度在规定的范围内,以维持稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET与现有的多种驱动器和控制器兼容,适合各种标准接口。
    - 技术支持:ROHM公司提供了详细的技术文档和支持服务,包括在线支持和应用指南,以帮助客户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何降低开关损耗?
    - 答:选择合适的栅极电阻(通常为10Ω),并确保驱动电压适当,可以显著降低开关损耗。
    2. 问:如何防止过热?
    - 答:使用适当的散热片和风扇进行散热,并确保电路板上的元件间距足够,以便于空气流通。
    3. 问:如何判断产品是否损坏?
    - 答:可以通过测量导通电阻Rds(on)和阈值电压Vgs(th)来判断,如果与额定值有显著偏差,则可能已损坏。

    总结和推荐


    总结:RZE002P02是一款专为开关应用设计的高性能P沟道MOSFET,具备高开关速度、低导通电阻和小封装等优势。在电源管理、电机驱动等领域具有广泛的应用前景。
    推荐:对于需要高效开关且受空间限制的应用场景,RZE002P02是理想的选择。ROHM公司提供的全面支持和详细的文档资料,也使其成为可靠的产品选择。

RZE002P02TL参数

参数
Id-连续漏极电流 200mA
栅极电荷 1.4nC@ 4.5 V
最大功率耗散 150mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 200mA,4.5V
通道数量 1
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 100µA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 115pF@10V
Vds-漏源极击穿电压 20V
1.7mm(Max)
900μm(Max)
800μm(Max)
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

RZE002P02TL厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

RZE002P02TL数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM RZE002P02TL RZE002P02TL数据手册

RZE002P02TL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
8000+ ¥ 0.154
16000+ ¥ 0.154
32000+ ¥ 0.154
64000+ ¥ 0.154
库存: 54000
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