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RD3T050CNTL1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 29W(Tc) 30V 5.25V@1mA 8.3nC@ 10 V 1个N沟道 200V 760mΩ@ 2.5A,10V 5A 330pF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: RD3T050CNTL1
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ROHM 场效应管(MOSFET) RD3T050CNTL1

RD3T050CNTL1概述


    产品简介


    RD3T050CN N沟道200V 5A功率MOSFET
    RD3T050CN 是一款由ROHM公司生产的高性能N沟道功率MOSFET,适用于多种电力转换和控制应用。这款器件具有较低的导通电阻、快速开关速度等特点,使其在各种电源管理设备中表现出色。主要应用领域包括但不限于开关电源、电机驱动、逆变器等。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压(VDSS) | 200 | V |
    | 最大漏极连续电流(ID) | ±5 | A |
    | 最大脉冲漏极电流(IDP) | 20 | A |
    | 最大栅极-源极电压(VGSS) | ±30 | V |
    | 单次雪崩能量(EAS) | 1.83 | mJ |
    | 单次雪崩电流(IAS) | 2.5 | A |
    | 最大功率耗散(PD) | 29 | W |
    | 结温(Tj) | 150 | ℃ |
    | 存储温度范围(Tstg) | -55 至 +150 | ℃ |

    产品特点和优势


    RD3T050CN 的核心特点是其低导通电阻(RDS(on)),使其在高电流和高电压条件下仍然能够高效运行。此外,该器件具备快速的开关速度,可简化驱动电路的设计,易于并联使用。这些特性使其成为开关电源设计的理想选择。此外,该器件符合无铅镀层标准和RoHS指令,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:在高频开关电源中,RD3T050CN 可有效减少损耗并提高效率。
    - 电机驱动:利用其低导通电阻和快速开关特性,可以降低功耗并提高系统可靠性。
    - 逆变器:用于太阳能逆变器和UPS系统中,提升系统的整体性能。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,需注意散热设计,以避免因过热导致的性能下降。
    - 并联使用时,应确保器件间的一致性,以实现均衡负载。
    - 高频开关应用时,需关注寄生电容的影响,优化PCB布局以减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    RD3T050CN 支持表面贴装技术(SMT),适用于各种自动化装配工艺。该器件包装为卷带式(Reel),便于自动拾放设备操作。ROHM提供详细的技术支持和售后服务,包括安装指南、测试报告等,确保用户能快速上手并高效使用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件温度过高
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇辅助散热。
    2. 问题:驱动电路不稳定
    - 解决方案: 确保驱动电压在规定范围内,增加去耦电容以稳定电源。
    3. 问题:器件寿命短
    - 解决方案: 检查使用环境是否超出规范,避免长期暴露于极端温度或湿度下。

    总结和推荐


    综上所述,RD3T050CN是一款性能优越、适应性强的N沟道功率MOSFET,适用于多种电力管理和控制应用。其显著的低导通电阻和快速开关特性使其在众多应用中表现优异。我们强烈推荐RD3T050CN给那些需要高效、可靠功率控制解决方案的设计者和工程师们。

RD3T050CNTL1参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 760mΩ@ 2.5A,10V
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 330pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.25V@1mA
栅极电荷 8.3nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 29W(Tc)
通道数量 1
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

RD3T050CNTL1厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

RD3T050CNTL1数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM RD3T050CNTL1 RD3T050CNTL1数据手册

RD3T050CNTL1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.64
5000+ ¥ 2.596
7500+ ¥ 2.552
10000+ ¥ 2.508
库存: 5000
起订量: 2500 增量: 0
交货地:
最小起订量为:2500
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