处理中...

首页  >  产品百科  >  US5U2TR

US5U2TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1W(Ta) 20V 2.5V@1mA 2nC@ 5 V 1个N沟道 30V 240mΩ@ 1.4A,10V 1.4A 70pF@10V SOT-353T-5 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: J-ROHM-0045812
供应商: Chip1stop
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) US5U2TR

US5U2TR概述

    US5U2 4V Drive Nch+SBD MOSFET 技术手册



    1. 产品简介



    US5U2 是一款高性能的硅基N沟道MOSFET与肖特基势垒二极管组合的电子元器件。该产品集成了一个N沟道MOSFET和一个低正向电压降(低VF)肖特基势垒二极管,非常适合用于开关电路中。其关键功能包括高速开关能力、低导通电阻,以及仅需4V驱动即可正常工作的特性。这些特性使其广泛应用于消费电子产品、通信设备和家电等领域。


    2. 技术参数



    - 额定电压:30V (VDSS)
    - 最大栅源电压:±1.4V (VGSS)
    - 连续漏极电流:30A (ID)
    - 脉冲漏极电流:20A (IDP)
    - 最大耗散功率:0.7W (PD)
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C (Tstg)
    - 结温:150°C (Tch)

    电气特性:
    - 输入电容 (Ciss):1.0 pF
    - 输出电容 (Coss):12 pF
    - 反向传输电容 (Crss):6 pF
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值为170 mΩ (VDS=10V, ID=1.4A, VGS=10V)


    3. 产品特点和优势



    - 集成设计:将N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管集成在同一个封装中,节省空间并提高可靠性。
    - 高效率:低导通电阻和高开关速度确保在工作过程中高效运作。
    - 低驱动电压:仅需4V驱动电压,简化电路设计并减少功耗。
    - 低正向电压降:内置的肖特基势垒二极管具有较低的正向电压降,适用于需要低损耗的应用场景。


    4. 应用案例和使用建议



    - 开关电源:由于其高速开关能力和低导通电阻,US5U2 可以显著提升开关电源的效率。建议在设计时考虑适当的散热措施,以确保长期稳定运行。
    - 电池管理:低正向电压降的肖特基二极管有助于减少电池管理系统的能量损失。在实际应用中,可以通过优化外围电路设计来进一步提升系统性能。


    5. 兼容性和支持



    - 封装规格:US5U2 使用 TUMT5 封装,封装代码为 US5U2。
    - 订单单位:基本订购单位为 3000 个。
    - 厂商支持:制造商提供全面的技术支持和售后保障服务,确保客户在使用过程中能够得到及时的帮助。


    6. 常见问题与解决方案



    - 问题1:启动时出现过高的栅源电压。
    - 解决方案:检查电路连接,确保正确的栅极电阻选择,以避免过高的栅源电压。
    - 问题2:在高温环境下导通电阻增加。
    - 解决方案:在设计电路时,考虑增加散热片或采用强制冷却方式,以保持器件的工作温度在合理范围内。


    7. 总结和推荐



    总体来看,US5U2 在设计紧凑、高效能及易用性方面表现优异。它不仅适合消费电子产品,也适用于工业控制和通讯设备等对开关性能要求较高的场合。强烈推荐对于需要高速开关和低功耗需求的设计人员选用该产品。

US5U2TR参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 70pF@10V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@ 1.4A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
栅极电荷 2nC@ 5 V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1W(Ta)
Id-连续漏极电流 1.4A
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 SOT-353T-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

US5U2TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

US5U2TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM US5U2TR US5U2TR数据手册

US5U2TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ $ 0.1691 ¥ 1.4285
50+ $ 0.1449 ¥ 1.2244
100+ $ 0.1397 ¥ 1.18
库存: 100
起订量: 5 增量: 0
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 7.14
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504