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UT6JA2TCR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 2W 20V 2.5V@1mA 6.7nC@ 10V 2个P沟道 30V 70mΩ@ 4A,10V 4A 305pF@15V HUML-2020L-8 贴片安装 2.1mm(宽度)
供应商型号: CSJ-ST50720702
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) UT6JA2TCR

UT6JA2TCR概述

    # UT6JA2 30V Pch+Pch Middle Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UT6JA2 是一款由 ROHM 制造的双 N 沟道 MOSFET,专为电源管理、直流电机控制和其他需要高效率和低功耗的应用设计。这款 MOSFET 具备低导通电阻、小尺寸封装等特点,使其成为许多应用的理想选择。

    技术参数


    基本参数
    - 最大漏源电压 (VDSS): -30V
    - 连续漏电流 (ID): ±4.0A
    - 脉冲漏电流 (IDP): ±12A
    - 最大功率损耗 (PD): 2.0W
    - 最大栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 雪崩电流 (IAS): -3.0A
    - 雪崩能量 (EAS): 6.5mJ
    - 最大结温 (Tj): 150℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55 至 +150℃
    热阻参数
    - 热阻 (RthJA): 最大 62.5℃/W
    电气特性(Ta = 25℃)
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): -30V
    - 零栅压漏电流 (IDSS): -1μA
    - 栅源漏电电流 (IGSS): ±100nA
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): -1.0 至 -2.5V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10V, ID = -4.0A: 55 至 70mΩ
    - VGS = -4.5V, ID = -4.0A: 80 至 103mΩ
    特性曲线
    - 包括多个关于功率损耗、安全操作区域、热阻、输出特性、转移特性等的典型曲线图,用于更全面的理解产品的电气性能。

    产品特点和优势


    UT6JA2 的主要特点和优势包括:
    1. 低导通电阻:在常用的工作条件下,能够显著降低功耗并提高效率。
    2. 小表面贴装封装:节省空间,便于集成到紧凑的设计中。
    3. 无铅电镀,符合RoHS标准:环保且对人体健康友好。
    4. 无卤素材料:避免潜在的环境问题。

    应用案例和使用建议


    UT6JA2 主要适用于:
    - 电源转换电路:如开关电源中的降压、升压转换。
    - 电机驱动电路:控制直流电机的运行。
    - 储能系统:例如电池管理系统。
    使用建议:
    - 在设计应用电路时,确保考虑到产品的最大工作条件,避免长时间工作在极限温度或电流下。
    - 使用外部保护电路以防止静电损坏。

    兼容性和支持


    UT6JA2 与同类封装的其他元器件具有良好的兼容性,方便集成到现有的设计中。ROHM 提供了详尽的技术文档和客户服务支持,以帮助客户更好地使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题解答部分,总结了几种可能遇到的问题及其解决方案:
    1. 静电损坏:在制造和运输过程中使用防静电措施,如接地人体/设备/烙铁。
    2. 高温运行问题:遵守最大结温和存储温度的限制,确保不会超过额定值。
    3. 功率损耗过高:注意环境温度和散热情况,进行适当的降额处理。

    总结和推荐


    UT6JA2 以其优良的电气特性和紧凑的封装,在多种应用场景中表现优异。无论是电源转换还是电机驱动,UT6JA2 都能提供出色的性能和可靠性。虽然价格略高,但其高效性和可靠性使其值得推荐给对性能要求高的应用场合。总体来说,UT6JA2 是一个非常值得选择的产品。

UT6JA2TCR参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 20V
配置
栅极电荷 6.7nC@ 10V
FET类型 2个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 305pF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ@ 4A,10V
最大功率耗散 2W
长*宽*高 2.1mm(宽度)
通用封装 HUML-2020L-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UT6JA2TCR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UT6JA2TCR数据手册

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UT6JA2TCR封装设计

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