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R6046FNZ1C9

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 120W(Tc) 30V 5V@1mA 150nC@ 10V 1个N沟道 600V 98mΩ@ 23A,10V 46A 6.23nF@25V TO-247 通孔安装 21.34mm(高度)
供应商型号: R6046FNZ1C9-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9概述

    R6046FNZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    R6046FNZ1 是一款由 ROHM 制造的高性能 N沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),额定电压为 600V,最大连续漏极电流为 46A。该器件适用于多种电源转换应用,如开关电源系统,它能够在高温环境下稳定运行,具备低导通电阻和快速开关速度等特点。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压 (VDSS): 600V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 46A
    - 最大脉冲漏极电流 (ID,pulse): ±23A
    - 最大漏源电压斜率 (dv/dt): 150V/μs
    - 最大门源电压 (VGSS): ±30V
    - 最大热阻 (RthJC): 0.18°C/W
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 9.6μC
    - 电气特性
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 最大值 0.098Ω
    - 输入电容 (Ciss): 15pF
    - 输出电容 (Coss): 68pF
    - 跨导 (gfs): 31S
    - 绝对最大额定值
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 结温 (Tj): 最大 125°C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 0.098Ω(典型值),确保在高电流应用中的低损耗。
    - 高速开关能力: 具备快速开关特性,适于高频应用,减少功耗。
    - 宽泛的工作电压范围: 能够承受高达 600V 的电压,适合各种高压应用。
    - 简单驱动电路: 易于集成到现有电路中,降低设计复杂度。
    - 并联使用方便: 多个 MOSFET 可以轻松并联,实现更高的电流处理能力。
    - RoHS 和无铅封装: 符合环保要求,适合绿色电子产品生产。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源: R6046FNZ1 在开关电源中的应用非常广泛,由于其高速开关特性和低导通电阻,能够显著提高电源效率。
    - 光伏逆变器: 在光伏逆变器中,这款 MOSFET 可用于主功率转换路径,提供高效的能量转换。
    - 电机驱动器: 电机驱动器需要高可靠性,而 R6046FNZ1 的高温稳定性能够满足这一需求。
    使用建议:
    - 在设计电源转换电路时,考虑 R6046FNZ1 的寄生电容特性,合理选择旁路电容以减小噪声。
    - 对于高频应用,利用其低寄生电容和高速开关能力来减少 EMI(电磁干扰)。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: R6046FNZ1 与现有的 PCB 设计兼容,可以直接替换传统 MOSFET。
    - 支持: ROHM 提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够顺利进行设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中的过热问题
    - 解决方案: 增加散热片,优化 PCB 布局以改善热分布。

    - 问题: 寄生二极管损坏
    - 解决方案: 选用合适的保护二极管并确保正确接线。

    7. 总结和推荐


    R6046FNZ1 Nch 600V 46A Power MOSFET 凭借其卓越的性能和广泛的应用领域,在电源管理和电机控制等关键应用中表现出色。尽管价格可能略高于普通 MOSFET,但其出色的稳定性和高效性能使得 R6046FNZ1 成为值得推荐的选择。如果您需要一个能够应对高压和大电流的应用场合,并且希望简化设计和提高效率,那么 R6046FNZ1 是一个不错的选择。

R6046FNZ1C9参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.23nF@25V
配置 独立式
最大功率耗散 120W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 98mΩ@ 23A,10V
栅极电荷 150nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 46A
长*宽*高 21.34mm(高度)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

R6046FNZ1C9厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

R6046FNZ1C9数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM R6046FNZ1C9 R6046FNZ1C9数据手册

R6046FNZ1C9封装设计

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