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RQK0606KGDQA#H6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 800mW 60V
供应商型号: CGC-RQK0606KGDQA#H6
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RQK0606KGDQA#H6

RQK0606KGDQA#H6概述

    RQK0606KGDQA Silicon N Channel MOS FET 技术手册

    产品简介


    RQK0606KGDQA 是一款硅基N沟道MOS场效应晶体管(MOSFET),适用于电源开关应用。此产品具备低导通电阻、低驱动电流及高速开关能力,使其成为众多电子系统中理想的功率开关组件。它广泛应用于电源管理、电机控制、LED照明及其它需要高效能量转换的应用场合。

    技术参数


    - 主要特性
    - 导通电阻:典型值为173 mΩ(在VGS=4.5 V,ID=0.8 A条件下)。
    - 驱动电流:低。
    - 高速开关:具有高频率切换能力。
    - 耐压:VDSS ≥ 60 V,并且能够在2.5 V门极驱动下工作。
    - 绝对最大额定值
    - 源漏电压(VDSS):60 V。
    - 门极与源极电压(VGSS):±12 V。
    - 连续漏极电流(ID):1.5 A。
    - 峰值漏极电流(ID(pulse)):脉冲条件:PW ≤ 10 μs,占空比≤ 1%,最高可达6 A。
    - 二极管反向漏极电流(IDR):1.5 A。
    - 通道耗散(Pch):0.8 W。
    - 通道温度(Tch):150 °C。
    - 存储温度(Tstg):-55 °C 至 +150 °C。
    - 电气特性
    - 击穿电压:VDSS≥60 V。
    - 漏源饱和电压(VDS(on)):与门极源极电压相关。
    - 零门电压时漏电流(IDSS):典型值为1 μA(在VDS=60 V,VGS=0条件下)。
    - 前向转移电导(|yfs|):典型值为4 S(在ID=0.8 A,VDS=10 V条件下)。
    - 输入电容(Ciss):典型值为200 pF(在VDS=10 V,VGS=0,f=1 MHz条件下)。
    - 输出电容(Coss):典型值为25 pF。
    - 反向转移电容(Crss):典型值为14 pF。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:使得其在开关应用中的能耗更低。
    - 高速开关:提高电路效率,减少热耗。
    - 2.5 V门极驱动:适合低电压操作环境。
    - 高耐压能力:确保安全可靠的工作环境。

    这些特点使得RQK0606KGDQA在电源管理和电机控制等应用中展现出显著的优势和竞争力。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理系统:可作为高效的开关元件,降低功耗并提高稳定性。
    - 电机控制:利用其快速开关性能,提升电机运行效率。
    - LED照明:低电阻保证了长期稳定工作。
    使用建议:
    - 散热设计:注意散热管理以防止过热。
    - 驱动电路设计:合理设计驱动电路以充分发挥其高速开关性能。

    兼容性和支持


    RQK0606KGDQA 的封装与多种常用标准封装相兼容,例如MPAK (塑料小尺寸封装),使其易于集成到现有系统中。制造商提供详细的技术文档和专业支持服务,包括但不限于电路设计指南、样品请求、以及技术支持热线等。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下工作时,MOSFET出现异常发热。
    - 解决办法:优化散热设计,如增加散热片或改进散热路径。
    - 问题:电路工作不稳定,出现间歇性故障。
    - 解决办法:检查驱动信号质量,确保信号稳定且符合规范。

    总结和推荐


    RQK0606KGDQA MOSFET 在设计和性能上表现优异,尤其适合要求低损耗、高效率的电源管理应用。结合其高性价比和广泛的应用场景,我们强烈推荐在需要高性能功率开关解决方案的项目中使用此产品。用户需关注散热设计及驱动信号质量,以充分发挥其潜力并确保长期可靠运行。

RQK0606KGDQA#H6参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 800mW
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
零件状态 新设计不推荐

RQK0606KGDQA#H6厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

RQK0606KGDQA#H6数据手册

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RQK0606KGDQA#H6封装设计

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