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NVJD4401NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 550mW 12V 1.5V@ 250µA 3nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 375mΩ@ 630mA,4.5V 630mA 46pF@20V SOT-363-6 贴片安装
供应商型号: 2929791
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVJD4401NT1G

NVJD4401NT1G概述


    产品简介


    NTJD4401N 和 NVJD4401N 是由 Semiconductor Components Industries, LLC 生产的双 N 沟道小信号金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有静电放电(ESD)保护功能,封装形式为 SC-88。这两种器件非常适合于负载功率切换、锂离子电池供电设备等领域。它们广泛应用于手机、媒体播放器、数码相机、个人数字助理(PDA)以及其他需要直流到直流转换的应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDSS | 20 | - | 20 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | -12 | - | 12 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 0.63 | - | A |
    | 功率耗散 | PD | - | 0.27 | - | W |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | ±1.2 | - | A |
    | 工作结温和存储温度 | TJ, TSTG | -55 | - | 150 | °C |
    | 引脚焊接温度 | TL | - | - | 260 | °C |

    产品特点和优势


    NTJD4401N/NVJD4401N 的显著特点是其小型化设计(2mm × 2mm 封装),使其适合紧凑型应用。同时,这些器件采用了低栅极电荷设计,有助于减少功耗并提高效率。这些 MOSFET 还具备 ESD 保护门极,确保更高的可靠性。NVJD4401N 器件已经通过 AEC-Q101 认证,并且可以进行 PPAP 生产零件批准过程,进一步提高了其在汽车电子领域的应用潜力。

    应用案例和使用建议


    NTJD4401N/NVJD4401N 广泛应用于负载功率切换、锂离子电池供电设备和各种便携式电子设备中。例如,在手机或 PDA 中,它们可以用作电源管理的一部分,以控制设备的不同部件。对于这些应用场景,建议在高频率开关条件下使用,因为它们具有较低的 RDS(on) 和较小的总栅极电荷,可以实现高效的开关操作。

    兼容性和支持


    这些器件采用 SC-88/SOT-363 封装,可以方便地与现有设计兼容。Semiconductor Components Industries, LLC 提供详细的技术文档和全面的支持服务,包括详细的订购信息和包装规格,帮助客户顺利集成和使用这些器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案: 确保工作温度在 -55°C 至 150°C 的范围内。如果实际工作温度超过此范围,可能需要外部散热措施。
    2. 问题: 设备在高湿度环境中损坏。
    - 解决方案: 由于器件本身是无铅(Pb-Free)并且符合 RoHS 标准,因此在正确封装和处理的情况下,应能抵抗大多数常见的环境因素。但建议在设计时考虑适当的防护措施。
    3. 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保栅极电阻 (RG) 的选择合适。根据数据手册,建议使用 20Ω 的栅极电阻以获得最佳性能。

    总结和推荐


    综上所述,NTJD4401N/NVJD4401N 是一款具有高效能和可靠性的 MOSFET 器件,特别适合于空间受限和需要高性能的小型便携设备。这些器件的优点包括小尺寸、低栅极电荷和 ESD 保护门极。强烈推荐在需要高效能和高可靠性的应用中使用这些器件,特别是在移动设备和汽车电子领域。

NVJD4401NT1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 630mA
Rds(On)-漏源导通电阻 375mΩ@ 630mA,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
栅极电荷 3nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 46pF@20V
FET类型 2个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 550mW
通用封装 SOT-363-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVJD4401NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVJD4401NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G数据手册

NVJD4401NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.6103
10+ ¥ 1.9775
100+ ¥ 1.8984
500+ ¥ 1.7718
1000+ ¥ 1.7402
5000+ ¥ 1.7402
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