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2SK3747-1E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta),50W(Tc) 35V 37.5nC@ 10 V 1个N沟道 1.5KV 13Ω@ 1A,10V 2A 380pF@30V TO-3PF-3 通孔安装 15.5mm*5.5mm*26.5mm
供应商型号: UA-2SK3747-1E
供应商: 海外现货
标准整包数: 30
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) 2SK3747-1E

2SK3747-1E概述

    2SK3747 N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SK3747 是一款N-Channel Power MOSFET(功率MOSFET),由Semiconductor Components Industries, LLC于2013年推出。它具有低导通电阻、低输入电容和超高速开关等特性,广泛应用于电源转换、逆变器和电机驱动等领域。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 漏源电压 (VDSS): 1500V
    - 栅源电压 (VGSS): ±35V
    - 连续漏电流 (ID): 2A
    - 脉冲漏电流 (IDP): 4A (脉宽 ≤ 10μs, 占空比 ≤ 1%)
    - 允许功耗 (PD):
    - 在Tc=25°C时为3.0W
    - 在Tc=50°C时为50W
    - 通道温度 (Tch): 150°C
    - 存储温度 (Tstg): -55°C到+150°C
    - 雪崩能量 (EAS): 41mJ
    - 雪崩电流 (IAV): 2A
    - 电气特性:
    - 击穿电压 (V(BR)DSS): 1500V (ID=1mA, VGS=0V)
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS): 100μA (VDS=1200V, VGS=0V)
    - 栅源漏电流 (IGSS): ±10μA (VGS=16V, VDS=0V)
    - 截止电压 (VGS(off)): 2.5-3.5V (VDS=10V, ID=1mA)
    - 前向转移导纳 (|yfs|): 0.7-1.4S (VDS=20V, ID=1A)
    - 静态导通电阻 (RDS(on)): 10-13Ω (ID=1A, VGS=10V)
    - 输入电容 (Ciss): 380pF (VDS=30V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 70pF
    - 反向转移电容 (Crss): 40pF
    - 开通延迟时间 (td(on)): 12ns
    - 上升时间 (tr): 37ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 152ns
    - 下降时间 (tf): 59ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 37.5nC (VDS=200V, VGS=10V, ID=2A)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)) 和 低输入电容:确保了在高频率下具有出色的开关性能。
    2. 超高可靠性:采用了高电压工艺(HVP)。
    3. 优秀的封装工艺:无云母片的封装提高了焊接工作的便利性。
    4. 雪崩耐受性:能够承受高能脉冲,保证在恶劣条件下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    1. 电源转换器:2SK3747可作为高效的电源开关,适用于各类电源转换器。
    2. 逆变器:在逆变器设计中,由于其快速开关速度,能够显著提高系统效率。
    3. 电机驱动:适合作为电机驱动电路中的开关管,提供可靠的驱动控制。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应考虑总栅极电荷(Qg)和关断延迟时间(td(off)),以优化系统的整体性能。
    - 确保电路的设计符合最大额定值要求,避免损坏设备。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于标准的TO-3PF-3L封装,且与现有的电路板设计兼容。
    - 支持:Semiconductor Components Industries, LLC提供了详尽的技术文档和支持服务,包括数据手册、应用指南和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高温环境下表现不佳。
    - 解决方案: 使用散热片或其他冷却措施以降低设备温度。
    2. 问题: 设备在脉冲状态下无法正常工作。
    - 解决方案: 确认脉冲宽度和占空比符合规定,调整电路设计以适应需求。
    3. 问题: 设备在高电压情况下出现异常。
    - 解决方案: 检查电路中的电压值,确保不超过规定的最大额定值。

    总结和推荐


    2SK3747是一款高性能的N-Channel Power MOSFET,适用于多种工业应用。其低导通电阻、高可靠性和出色的开关性能使其成为同类产品中的佼佼者。尽管价格相对较高,但考虑到其卓越的性能和可靠性,强烈推荐在需要高效率和稳定性的场合使用。

2SK3747-1E参数

参数
配置 独立式
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 13Ω@ 1A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 380pF@30V
栅极电荷 37.5nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 35V
Vds-漏源极击穿电压 1.5KV
最大功率耗散 3W(Ta),50W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
长*宽*高 15.5mm*5.5mm*26.5mm
通用封装 TO-3PF-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

2SK3747-1E厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2SK3747-1E数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR 2SK3747-1E 2SK3747-1E数据手册

2SK3747-1E封装设计

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