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SCH1334-TL-H

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 800mW(Ta) 10V 1.3V@1mA 1.6nC@ 4.5 V 1个P沟道 12V 215mΩ@ 800mA,4.5V 1.6A 120pF@6V SCH-6 贴片安装 1.6mm*1.5mm*560μm
供应商型号: CY-SCH1334-TL-H
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) SCH1334-TL-H

SCH1334-TL-H概述

    P-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档介绍了 ON Semiconductor 的 P-Channel Power MOSFET 器件(型号:SCH1334)。这种器件属于单通道类型的功率 MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和出色的电气特性。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效能电力转换的应用场合。

    技术参数


    以下是 SCH1334 的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS):-12V
    - 栅源电压 (VGSS):±10V
    - 漏电流 (DC):-1.6A
    - 脉冲漏电流 (IDP):-6.4A(脉冲宽度 ≤ 10μs,占空比 ≤ 1%)
    - 允许功率耗散 (PD):0.8W(陶瓷基板上)
    - 额定温度 (Tch):150°C
    - 存储温度 (Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 突破电压 (V(BR)DSS):-12V
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±10μA
    - 截止电压 (VGS(off)):-0.4V 至 -1.3V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值为 215mΩ(当 ID = -0.8A,VGS = -4.5V)
    - 输入电容 (Ciss):120pF
    - 输出电容 (Coss):46pF
    - 反向传输电容 (Crss):36pF
    - 开启延迟时间 (td(on)):4.9ns
    - 上升时间 (tr):17.5ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):16.0ns
    - 下降时间 (tf):16.5ns
    - 总栅极电荷 (Qg):1.6nC

    产品特点和优势


    SCH1334 的主要特点和优势包括:
    - 低导通电阻:典型值仅为 215mΩ,确保在大电流条件下的低功耗。
    - 高开关速度:快速的上升时间和下降时间有助于提高系统效率。
    - 低栅极驱动电压:仅需 1.8V 的驱动电压,简化了电路设计。
    - 无卤素材料:符合环保标准,适用于对环境要求高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    SCH1334 适用于多种应用场合,例如:
    - 电源管理电路
    - 电机驱动器
    - LED 驱动电路
    使用建议:
    - 在设计应用电路时,确保工作温度不超过绝对最大额定值,以延长器件寿命。
    - 使用适当的栅极驱动电路,避免栅极过压现象。
    - 在 PCB 设计中,合理布局 MOSFET 和散热片,以保证良好的热管理。

    兼容性和支持


    - 封装信息:SCH6(JEITA/JEDEC:SOT-563)
    - 包装信息:每盘 5,000 片
    - 厂家支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - A:一般建议使用 1.8V 或更高电压作为栅极驱动电压,具体取决于器件的 RDS(on) 特性。可以通过调整驱动电压来优化性能。

    - Q:在高温度下工作时需要注意什么?
    - A:高温度会影响器件的性能和可靠性。建议监测器件温度,确保不超过绝对最大额定值。

    总结和推荐


    综上所述,SCH1334 是一款高性能的 P-Channel Power MOSFET,特别适合于需要低导通电阻和高开关速度的应用场合。其独特的优势在于低栅极驱动电压和无卤素材料,使其成为环保和高效的首选器件。如果您正在寻找一款可靠且性能卓越的 MOSFET,SCH1334 将是一个理想的选择。

SCH1334-TL-H参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 215mΩ@ 800mA,4.5V
Id-连续漏极电流 1.6A
最大功率耗散 800mW(Ta)
Vgs-栅源极电压 10V
通道数量 -
栅极电荷 1.6nC@ 4.5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 120pF@6V
Vds-漏源极击穿电压 12V
FET类型 1个P沟道
长*宽*高 1.6mm*1.5mm*560μm
通用封装 SCH-6
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

SCH1334-TL-H厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

SCH1334-TL-H数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR SCH1334-TL-H SCH1334-TL-H数据手册

SCH1334-TL-H封装设计

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