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EFC6605R-TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.6W 10V 19.8nC@ 4.5V 2个N沟道 EFCP-6 贴片安装 1.91mm(长度)*1.46mm(宽度)
供应商型号: FL-EFC6605R-TR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) EFC6605R-TR

EFC6605R-TR概述

    EFC6605R N-Channel Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    EFC6605R 是一种由 Semiconductor Components Industries, LLC 设计制造的 N-通道功率 MOSFET。它具有低导通电阻(最低 8.8mΩ)、高电流承载能力(最大 10A)和高耐压(最高 20V),适用于多种应用场合,如锂离子电池充电和放电开关。此外,EFC6605R 符合无卤素要求,满足环保标准。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 源到源电压 (VSSS): 20V
    - 栅极到源极电压 (VGSS): ±10V
    - 直流源电流 (IS): 10A
    - 脉冲源电流 (ISP): 60A (PW≤10μs, 功率周期≤1%)
    - 总耗散 (PT): 1.6W (当安装在陶瓷基板上时)
    - 结温 (Tj): 150°C
    - 存储温度 (Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 热阻率:
    - 结到环境热阻 (RθJA): 78.1°C/W (当安装在陶瓷基板上时)
    - 电气特性:
    - 源到源击穿电压 (V(BR)SSS): 20V
    - 零栅电压源电流 (ISSS): 1μA
    - 栅极到源极漏电流 (IGSS): ±1.0μA
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 0.5V 至 1.3V
    - 正向跨导 (gFS): 11.4S
    - 静态源到源导通电阻 (RSS(on)):
    - 当 IS=3A, VGS=4.5V 时: 8.8mΩ 至 13.3mΩ
    - 当 IS=3A, VGS=4.0V 时: 9.1mΩ 至 13.7mΩ
    - 当 IS=3A, VGS=3.8V 时: 9.3mΩ 至 13.9mΩ
    - 当 IS=3A, VGS=3.1V 时: 10.0mΩ 至 15.6mΩ
    - 当 IS=3A, VGS=2.5V 时: 11.1mΩ 至 17.4mΩ
    - 其他参数:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 154ns
    - 上升时间 (tr): 678ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 44400ns
    - 下降时间 (tf): 60800ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 19.8nC
    - 前向源到源电压 (VF(S-S)): 0.75V 至 1.2V

    产品特点和优势


    EFC6605R 具有多项显著的技术优势:
    - 高可靠性:符合 ESD HBM 2KV 规范,确保电路的稳定性和安全性。
    - 高电流承载能力:支持高达 10A 的连续电流和 60A 的脉冲电流,适合高性能应用。
    - 低导通电阻:最低导通电阻为 8.8mΩ,显著降低功耗和温升。
    - 绿色环保:无卤素设计,符合环保标准,适用于绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    EFC6605R 主要应用于锂离子电池充电和放电开关。为了优化其性能,在设计应用电路时应注意以下几点:
    - 散热管理:由于其较高功率损耗,需要良好的散热措施,建议使用大面积散热片或热管。
    - 驱动电路:推荐使用适当的栅极电阻 (Rg) 来优化开关速度和减少开关损耗。
    - 电路布局:合理布局以减小寄生电感和电阻,提高整体效率。

    兼容性和支持


    EFC6605R 与常见的 PCB 布局和焊接工艺兼容,可以方便地集成到现有的设计中。制造商 ON Semiconductor 提供详尽的技术支持和文档,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高温环境下无法正常工作。
    解决方案:检查散热系统是否足够有效。使用更大尺寸的散热片或增强通风效果。
    - 问题:发现设备存在意外导通现象。
    解决方案:检查栅极电阻是否设置正确,以防止误触发。通常建议使用 200Ω 左右的栅极电阻。
    - 问题:设备出现过热现象。
    解决方案:调整驱动信号频率,避免高频切换引起的额外热量。

    总结和推荐


    EFC6605R N-Channel Power MOSFET 在性能和稳定性方面表现出色,特别适用于锂离子电池管理系统。虽然价格略高于市场上的一些同类产品,但其卓越的电气特性和可靠性使其成为高端应用的理想选择。强烈推荐 EFC6605R 给对性能有严格要求的应用场景。

EFC6605R-TR参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 10V
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置
通道数量 2
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 19.8nC@ 4.5V
最大功率耗散 1.6W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 1.91mm(长度)*1.46mm(宽度)
通用封装 EFCP-6
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,卷带包装

EFC6605R-TR厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

EFC6605R-TR数据手册

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EFC6605R-TR封装设计

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