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MRF6S27015NR1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 500mV,12V 1个N沟道 68V TO-270-2 贴片安装,黏合安装 9.7mm*6.15mm*2.08mm
供应商型号: CY-MRF6S27015NR1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) MRF6S27015NR1

MRF6S27015NR1概述


    产品简介


    产品名称:MRF6S27015NR1 和 MRF6S27015GNR1
    类型:射频(RF)功率场效应晶体管(FET)
    制造商:Freescale Semiconductor
    主要功能:本产品是适用于从2000到2700 MHz频率范围内的CDMA基站应用的高性能N沟道增强型横向MOSFET。它同样适合WiMAX、WiBro、BWA以及OFDM多载波Class AB和Class C放大器的应用。
    应用领域:移动通信基站、WiMAX设备、无线宽带接入系统以及其他需要高效率射频功放的应用场合。

    技术参数


    - 典型单载波W-CDMA性能:在VDD = 28 V、IDQ = 160 mA条件下,平均输出功率为3瓦,频率为2600 MHz,信道带宽为3.84 MHz,峰值到平均功率比(PAR)为8.5 dB。
    - 关键性能指标:
    - 功率增益:14 dB(典型)
    - 漏极效率:22%(典型)
    - 相邻信道功率比(ACPR):-45 dBc(典型)
    - 电气特性:
    - 零门压漏极泄漏电流(VDS = 68 Vdc,VGS = 0 Vdc):≤10 μA
    - 栅源漏电电流(VGS = 5 Vdc,VDS = 0 Vdc):≤500 nA
    - 栅阈电压(VDS = 10 Vdc,ID = 40 μA):1.5 - 3.5 Vdc
    - 漏源导通电压(VGS = 10 Vdc,ID = 0.4 A):0.27 - 0.4 Vdc
    - 热特性:
    - 热阻(结到外壳):2.0 °C/W(平均值),2.2 °C/W(连续使用情况)
    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):±68 Vdc
    - 栅源电压(VGS):±12 Vdc
    - 存储温度范围(Tstg):-65 至 +150 °C
    - 壳温(TC):150 °C
    - 结温(TJ):225 °C

    产品特点和优势


    - 易于使用:内部匹配设计使得该产品非常适合直接应用于各种电路设计中,无需额外复杂的匹配网络。
    - 高可靠性:具备内部静电放电(ESD)保护,能够承受5:1的电压驻波比(VSWR)。
    - 宽泛的操作电压范围:能够在高达32 VDD的条件下运行,从而提高系统的灵活性。
    - 塑料封装:采用高温耐受性材料制成,可在高达225°C的结温下工作。
    - 环保合规:符合RoHS标准,确保产品满足环保要求。
    - 大批量供应:以500个单位一卷的方式供应,便于大规模生产和装配。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:本产品在CDMA基站中的使用广泛,也可用于WiMAX、WiBro、BWA及OFDM多载波Class AB和Class C放大器。
    - 使用建议:为了获得最佳性能,建议将该产品的使用频率保持在2000到2700 MHz之间。同时,在设计时应考虑良好的散热措施,确保其能够在高温环境下稳定运行。此外,可以使用内部匹配特性来简化电路设计,提高设计效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品具有高灵活性,可以在多种不同的应用环境中与其他电子元器件和设备兼容。
    - 支持和服务:Freescale Semiconductor提供详尽的技术文档和在线工具,如MTTF计算器和AN1955热测量方法学,帮助用户更好地了解产品的特性和性能。此外,还提供了相关应用笔记和技术支持服务,确保用户能够在使用过程中获得必要的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断MRF6S27015NR1/GNR1的热稳定性?
    - 解决方案:参考技术手册中的表2,利用热阻(RθJC)值计算不同工作条件下的结温变化。例如,当壳温达到79°C时,最大功率损耗为3 W CW,此时结温约为160°C左右。如果发现温度超出安全范围,应采取外部冷却措施。

    - 问题2:如何选择合适的栅极电压?
    - 解决方案:根据表5中的电气特性表,建议将栅极电压设置在2.2到3.1 Vdc之间。这可以确保在工作电流为160 mA且电压为28 Vdc的情况下,达到理想的功率增益和效率。

    总结和推荐


    MRF6S27015NR1和MRF6S27015GNR1作为高集成度的射频功率场效应晶体管,凭借其卓越的电气特性和可靠的设计,非常适用于各种高频无线通信应用。其高效率、低功耗、出色的热稳定性和简单的使用特性使其在市场上具有显著的竞争优势。因此,强烈推荐将这两款产品应用于高性能射频功放设计中。

MRF6S27015NR1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 68V
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 500mV,12V
通道数量 -
长*宽*高 9.7mm*6.15mm*2.08mm
通用封装 TO-270-2
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 散装,卷带包装

MRF6S27015NR1厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

MRF6S27015NR1数据手册

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MRF6S27015NR1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 27.1349 ¥ 219.8149
25+ $ 26.0136 ¥ 216.025
50+ $ 24.8923 ¥ 212.235
100+ $ 24.4438 ¥ 210.3401
300+ $ 24.2196 ¥ 208.4451
500+ $ 23.9953 ¥ 206.5502
1000+ $ 23.3225 ¥ 197.0754
5000+ $ 23.3225 ¥ 197.0754
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