处理中...

首页  >  产品百科  >  MRF6S19100NR1

MRF6S19100NR1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 287W 12V 68V TO-270 贴片安装
供应商型号: MRF6S19100NR1-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) MRF6S19100NR1

MRF6S19100NR1概述

    MRF6S19100NR1/MRF6S19100NBR1:高效率射频功率场效应晶体管

    产品简介


    MRF6S19100NR1 和 MRF6S19100NBR1 是 Freescale Semiconductor 公司设计的适用于 N-CDMA 基站应用的高性能射频(RF)功率场效应晶体管(RF Power Field Effect Transistors)。这些晶体管采用 N-通道增强模式横向 MOSFET 技术,具有高效率和高可靠性等特点。它们广泛应用于 N-CDMA、TDMA、CDMA 以及多载波放大器应用中,特别适合于基站放大器、无线局域网(WLL)和其他射频通信系统。

    技术参数


    - 工作频率范围:1930 MHz 至 1990 MHz
    - 输出功率:22 瓦(平均)
    - 最大电压:VDD = 28 伏特
    - 门限电压:VGS(th) = 1 V 至 3 V
    - 静态漏电流:VDS(on) = 0.24 V
    - 阻抗参数:RθJC = 0.61°C/W(结到外壳热阻)
    - 工作温度:TJ = 225°C(最大结温)
    - 存储温度范围:-65°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 功率增益:Gps = 14.5 dB
    - 漏极效率:ηD = 25.5%
    - 邻道功率比(ACPR):-51 dBc(30 kHz 带宽)
    - 互调失真(IM3):-37 dBc(1.2288 MHz 带宽)

    产品特点和优势


    1. 内部匹配:晶体管内部已匹配,便于使用。
    2. 耐高电压:最高可达 32 VDD 的操作电压。
    3. 防静电保护:内置 ESD 保护。
    4. 低记忆效应:设计为具有较低的记忆效应和更宽的瞬时带宽。
    5. 高可靠性和耐用性:在 225°C 的结温下仍可正常工作。
    6. 塑料封装:符合 RoHS 标准,适用于高可靠性应用。

    应用案例和使用建议


    1. 基站应用:MRF6S19100NR1 和 MRF6S19100NBR1 主要用于 N-CDMA 基站的应用中,特别是在处理多个载波信号时表现优异。
    2. 多载波系统:这类晶体管非常适合多载波放大器应用,可以提供稳定的输出功率。
    3. 设计建议:为了获得最佳性能,在使用过程中应确保电路板上的阻抗匹配网络设计合理,并在高频环境下使用适当的去耦电容。

    兼容性和支持


    1. 兼容性:晶体管采用标准的 TO-270 和 TO-272 封装,易于与其他电路元件集成。
    2. 技术支持:Freescale Semiconductor 提供详尽的技术文档和应用指南,用户可以在 Freescale 官网上下载相关的技术资料和支持工具。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:确保散热片的设计合理,避免长时间满负荷运行导致过热。
    2. 电磁干扰:使用屏蔽措施,如金属罩,以减少外部干扰。
    3. 安装不当:严格按照技术手册中的安装步骤进行安装,确保所有引脚正确连接。

    总结和推荐


    MRF6S19100NR1 和 MRF6S19100NBR1 在射频通信领域的性能卓越,尤其在 N-CDMA 基站应用中表现出色。它们具备高效率、高可靠性、良好的电气特性和广泛的应用范围,是目前市场上同类产品中的佼佼者。如果你需要一款性能稳定且适用于复杂射频通信系统的晶体管,MRF6S19100NR1 和 MRF6S19100NBR1 绝对是一个值得考虑的选择。

MRF6S19100NR1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 68V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 287W
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
17.58mm(Max)
9.07mm(Max)
2.64mm(Max)
通用封装 TO-270
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

MRF6S19100NR1厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

MRF6S19100NR1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS MRF6S19100NR1 MRF6S19100NR1数据手册

MRF6S19100NR1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 44.693 ¥ 374.0247
库存: 0
起订量: 500 增量: 1
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504