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NX3020NAKS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 375mW 30V SOT-363-6 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NX3020NAKS

NX3020NAKS概述

    # NX3020NAKS: 30 V, 180 mA Dual N-Channel Trench MOSFET 技术手册

    产品简介


    NX3020NAKS 是一款双通道 N 沟道增强型场效应晶体管(FET),采用先进的 Trench MOSFET 技术制造,封装于非常紧凑的 SOT363 表面贴装塑料封装内。其体积小巧但性能强大,适合在多种高效率电路中使用。这款产品主要设计用于高速开关、继电器驱动及低侧负载开关等领域。
    主要功能与优势
    - 高速开关:卓越的开关速度使其适用于高频信号处理。
    - Trench MOSFET 技术:提供更低导通电阻和更高效率。
    - ESD保护:内置静电放电保护机制,增强可靠性。
    - 低阈值电压:简化电路设计,降低功耗。
    应用领域
    - 继电器驱动
    - 高速线性驱动器
    - 低侧负载开关
    - 各类开关电路

    技术参数


    以下是 NX3020NAKS 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    ||
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | - | 30 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | Tj = 25°C | -20 | - | 20 | V |
    | 漏极电流 | ID | VGS = 4.5V, Tamb = 25°C | - | - | 180 | mA |
    | 导通电阻 | RDSon | VGS = 10V, ID = 100mA, Tj = 25°C | - | 2.7 | 4.5 | Ω |
    极限工作条件
    - 漏极-源极电压:-30 V 至 +30 V
    - 栅极-源极电压:-20 V 至 +20 V
    - 漏极电流:典型值 180 mA,最高瞬态值可达 720 mA
    热特性
    - 结点到环境热阻(自由空气):390~480 K/W
    - 结点到焊点热阻:≤110 K/W

    产品特点和优势


    NX3020NAKS 在设计上具有多项显著特点和优势,使其在市场上脱颖而出:
    1. 高效的开关性能:通过 Trench MOSFET 技术,实现了非常快的开关速度和低导通电阻。
    2. 低阈值电压:简化电路设计,降低功耗,提高能效。
    3. ESD保护:内置保护机制,延长使用寿命,提升可靠性。
    4. 紧凑设计:SOT363 封装尺寸小巧,非常适合空间受限的应用场合。
    这些特点使其成为高效率开关电路的理想选择,尤其是在需要快速响应和高能效的场合。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 继电器驱动:利用其低导通电阻和高开关速度特性,可以有效控制继电器的开启和关闭。
    - 低侧负载开关:适用于电池供电设备,能够高效切换负载,减少能量损耗。
    - 高速线性驱动器:结合其出色的开关速度,可实现高频信号的处理和传输。
    使用建议
    - 电路设计优化:建议使用符合标准的 FR4 PCB 和锡镀铜层,确保散热良好。
    - 热管理:在高功率应用中需注意增加散热措施,以避免过热损坏。
    - 静电防护:在装配时需采取防静电措施,防止静电对器件造成损害。

    兼容性和支持


    兼容性
    NX3020NAKS 可与大多数标准表面贴装设备兼容,支持回流焊接和波峰焊接工艺。
    厂商支持
    NXP 提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、设计工具和在线技术支持,确保客户能够充分利用此产品的潜力。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查电路布局,确保匹配合适的栅极电阻。 |
    | 导通电阻偏高 | 增加 VGS 电压至推荐范围(如 10V)。 |
    | 温度过高 | 添加散热片或改进 PCB 设计以优化散热。 |

    总结和推荐


    NX3020NAKS 是一款高性能、高可靠性的双通道 N 沟道 Trench MOSFET,以其快速开关速度、低导通电阻和紧凑设计成为许多电子设备的理想选择。其出色的 ESD 保护功能和卓越的热管理能力进一步增强了其市场竞争力。我们强烈推荐 NX3020NAKS 用于需要高效率和高可靠性的应用中。
    如果您正在寻找一款能够兼顾性能和成本的 MOSFET,NX3020NAKS 是您的不二之选!

NX3020NAKS参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
FET类型 -
最大功率耗散 375mW
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-363-6
安装方式 贴片安装

NX3020NAKS厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

NX3020NAKS数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS NX3020NAKS NX3020NAKS数据手册

NX3020NAKS封装设计

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