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MRFE6P3300HR3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 12V 66V 106pF@ 32V NI-860C3 底座安装
供应商型号: CY-MRFE6P3300HR3
供应商: Avnet
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) MRFE6P3300HR3

MRFE6P3300HR3概述


    产品简介


    产品名称: MRFE6P3300HR3
    产品类型: 射频功率场效应晶体管(RF Power Field Effect Transistor)
    主要功能: 适用于宽带商业和工业应用,频率范围为470至860 MHz。该设备专为在32伏特模拟或数字电视发射机设备中的大信号、共源放大器应用而设计。
    应用领域: 主要用于32伏特的模拟或数字电视发射系统中的功率放大。

    技术参数


    - 工作电压:
    - 栅源电压 (VGS): -0.5 Vdc 至 +12 Vdc
    - 漏源电压 (VDSS): -0.5 Vdc 至 +66 Vdc
    - 存储温度范围 (Tstg): -65°C 至 +150°C
    - 管壳温度 (TC): 150°C
    - 结温 (TJ): 225°C
    - 热特性:
    - 结到管壳热阻 (RθJC):
    - 管壳温度 80°C 时:80°C/W
    - 管壳温度 82°C 时:220°C/W
    - 管壳温度 79°C 时:100°C/W
    - 管壳温度 81°C 时:60°C/W
    - 电气特性:
    - 零栅源电压漏极泄漏电流 (IDSS):
    - VDS = 66 Vdc, VGS = 0 Vdc: 10 μAdc
    - VDS = 32 Vdc, VGS = 0 Vdc: 1 μAdc
    - 栅极-源极漏电流 (IGSS): VGS = 5 Vdc, VDS = 0 Vdc: 1 μAdc
    - 开启电压 (VGS(th)): VDS = 10 Vdc, ID = 350 μAdc: 1 Vdc 至 3 Vdc
    - 栅极静止电压 (VGS(Q)): VDD = 32 Vdc, ID = 1600 mAdc: 2 Vdc 至 4 Vdc
    - 功率增益 (Gps): 19 dB 至 23 dB
    - 漏极效率 (ηD): 41% 至 44.8%
    - 交调失真 (IMD): -28.8 dBc 至 -27 dBc
    - 输入回波损耗 (IRL): -18.4 dB 至 -9 dB
    - 反向传输电容 (Crss): 1.22 pF
    - 输出电容 (Coss): 217 pF
    - 输入电容 (Ciss): 1060 pF

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 具有系列等效大信号阻抗参数,便于使用。
    - 内部匹配以简化操作。
    - 额定最高32 VDD操作,适合增强耐用性。
    - 内置静电放电保护。
    - 符合RoHS标准。
    - 可选包装方式(每卷250个单位或50个单位)。
    市场竞争力:
    - 高功率输出能力,如在860 MHz频率下可以处理270 W PEP输出。
    - 宽带性能,适用于470到860 MHz的应用。
    - 在32 VDC电压下的高增益和高效率,使其适用于各种放大应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 大信号、共源放大器应用。
    - 模拟或数字电视发射机设备中的功率放大。
    使用建议:
    - 为了最大化其性能,应在额定的电压范围内操作,例如在32 VDC下操作以获得最佳效率。
    - 使用正确的匹配网络进行电路设计,确保输入和输出阻抗的匹配,以便充分利用其宽广的频率范围。
    - 注意散热管理,特别是在高功率输出时,需确保适当的冷却措施以避免过热。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品内部匹配,支持直接使用,无需额外匹配网络。
    - 与其他射频组件和电路板设计具有良好的兼容性。
    支持:
    - 厂商提供详细的文档和支持材料,包括应用笔记和工程公告。
    - 提供软件工具以辅助设计和验证。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 高温损坏: 设备在过高的工作温度下容易损坏。
    - 解决方案: 使用适当的散热器或散热片来提高热管理,确保设备工作在安全的工作温度范围内。
    2. 漏电流过大: 漏电流超出预期值。
    - 解决方案: 检查连接是否正确无误,确保电源电压稳定,并考虑使用低噪声电源供应。
    3. 效率低下: 功率效率不达标。
    - 解决方案: 确保使用合适的匹配网络,检查输入信号的幅度和频率是否符合要求。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 广泛的频率范围和高功率输出能力使其适用于多种应用。
    - 内部匹配和内置保护机制使得使用更为简便。
    - 符合RoHS标准,环保且易于集成。

    - 缺点:
    - 需要外部冷却措施以确保长期可靠性。
    - 在某些高负载条件下可能需要额外的保护措施。
    推荐:
    - 强烈推荐用于需要高功率输出和宽频率范围的射频应用场合。对于需要简单安装和易维护性的项目,该产品尤其合适。

MRFE6P3300HR3参数

参数
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 66V
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 106pF@ 32V
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
34.16mm(Max)
10.31mm(Max)
5.69mm(Max)
通用封装 NI-860C3
安装方式 底座安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

MRFE6P3300HR3厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

MRFE6P3300HR3数据手册

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MRFE6P3300HR3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 356.3318 ¥ 2886.5822
25+ $ 341.6074 ¥ 2836.8135
50+ $ 326.8829 ¥ 2787.0448
100+ $ 320.9931 ¥ 2762.1605
300+ $ 318.0482 ¥ 2737.2761
500+ $ 315.1033 ¥ 2712.3918
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